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기판 상부에 버퍼층이 형성되어 있고, 상기 버퍼층 상부에 일정한 형상의 윈도우(Window)를 가지는 절연막이 형성되어 있고, 상기 윈도우를 통하여 노출된 상기 버퍼층 상부와 상기 윈도우에 인접한 절연막 상부에 GaN층이 형성되어 있고, 상기 GaN층 상부에 단면이 사다리꼴 형상인 n형 질화물 반도체층이 형성되어 있고, 상기 n형 질화물 반도체층의 상부면과 측면을 감싸며 활성층과 p형 질화물 반도체층이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 p형 질화물 반도체층 상부와 상기 절연막 상부에 투명 전극이 형성되어 있고, 상기 절연막 상부에 형성된 투명 전극 상부에 p-전극이 형성되어 있고, 상기 n형 질화물 반도체층의 상부면 상부에 형성된 투명 전극으로부터 상기 n형 질화물 반도체층의 일부분이 식각되어 홈이 형성되어 있고, 상기 n형 질화물 반도체층의 식각된 면의 일부를 제외한 상기 홈의 내측면과, 상기 투명 전극의 상부의 일부에 보호막이 형성되어 있고, 상기 홈을 채우며 형성된 n-전극으로 이루어지는 질화물계 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(SiN)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 윈도우의 형상은 스트라이프(Stripe)형, 육각형 및 원형 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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기판 상부에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 절연막을 형성한 후, 상기 절연막을 패터닝하여 일정한 형상의 윈도우를 형성하는 단계; 상기 윈도우를 통하여 노출된 상기 버퍼층 상부와 상기 윈도우에 인접한 절연막 상부에 GaN층을 형성하고, 상기 GaN층 상부에 단면이 사다리꼴 형상인 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층의 상부면과 측면을 감싸며 활성층과 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 p형 질화물 반도체층 상부와 상기 절연막 상부에 투명 전극을 형성하고, 상기 절연막 상부에 형성된 투명 전극 상부에 p-전극을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층의 상부면 상부에 형성된 투명 전극으로부터 상기 n형 질화물 반도체층의 일부분을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및 상기 n형 질화물 반도체층의 식각된 면의 일부를 제외한 상기 홈의 내측면과, 상기 투명 전극의 상부의 일부에 보호막을 형성하고, 상기 홈을 채우며 n-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 질화물계 발광 소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 GaN층 및 n형 질화물 반도체층은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)방법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 GaN층은 LEO(Lateral Epitaxial Overgrowth)방법 또는 PE(Pendeo Epitaxial)방법에 의해 측면 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법
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