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상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈;상기 제 1 전극 메탈 상부에 전기적으로 연결되도록 본딩되어 있는 발광소자;상기 발광소자와 제 2 전극 메탈을 전기적으로 연결시키는 전도성 와이어(Conductive Wire);상기 발광소자의 둘레를 둘러싸고 있고, 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈 중 하나 또는 둘과 접하는 영역의 일부 영역에 불순물이 확산된 확산층이 형성되어 있으며, 나머지 영역은 절연막이 형성되어 있는 구조물과;상기 구조물 내부의 상기 발광소자 및 전도성 와이어를 감싸며 채워진 충진제를 포함하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 구조물은 n 또는 p 타입 반도체이고,상기 확산층은 상기 구조물과 반대 타입의 반도체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 구조물의 내측면에는,반사막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 충진제는,형광체, 실리콘 젤, 에폭시 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈의 이격된 사이에,상기 구조물에서 연장된 돌출부가 개재되며, 상기 돌출부는 상기 제 1 및 제 2 전극 메탈과 전기적으로 연결되지 않도록 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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상호 이격되어 있는 제 1 또는 제 2 전극 메탈 상부와 접하는 영역에 불순물이 확산된 확산층을 갖는 구조물을 형성하는 단계;상기 구조물 내부의 제 1 전극 메탈 상부에 발광소자를 전기적으로 연결되도록 본딩(Bonding)하는 단계;상기 발광소자와 제 2 전극 메탈을 전도성 와이어(Conductive Wire)로 전기적으로 연결하는 단계;및상기 구조물 내부의 상기 발광소자 및 상기 전도성 와이어를 감싸도록 충진제를 채우는 단계;를 포함하는 발광소자 패키지 제조방법
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7
제 6항에 있어서,상기 상호 이격되어 있는 제 1 또는 제 2 전극 메탈 상부와 접하는 영역에 불순물이 확산된 확산층을 갖는 구조물을 형성하는 단계는,기판 하부에 상호 이격된 두 영역을 일정 깊이로 식각하는 단계;상기 기판의 상, 하부 전면에 절연막을 형성하고, 상기 기판의 이격되어 식각된 두 영역에서 확산층을 형성시킬 부분의 절연막을 제거하여 기판을 노출시키는 단계;노출된 상기 기판 부분에 불순물을 확산시켜 확산층을 형성하는 단계;상기 기판 하부의 이격되어 식각된 두 영역에 형성된 절연막 하부에 상기 확산층과 전기적으로 연결되는 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈을 각각 형성하는 단계;및상기 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 일부가 남아있고, 개구를 가지며, 개구의 내부에 제 1 및 제 2 전극 메탈이 노출되되, 제 1 및 제 2 전극 메탈과 접하는 영역에 불순물이 확산된 확산층을 갖는 구조물이 형성되도록 상기 기판과 절연막을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈을 각각 형성하는 단계는,상기 기판 하부의 식각되지 않은 부분을 따라 형성된 절연막의 하부면 보다 돌출되도록 상기 기판 하부의 상호 이격되어 식각된 영역에 각각 제 1 및 제 2 전극 메탈을 형성한 후, 돌출된 부분을 연마(Polishing)하여, 제 1 및 제 2 전극 메탈 하부면이 절연막 하부면과 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제 1 전극 메탈 또는 제 2 전극 메탈 중 어느 하나의 두께와 상기 절연막의 두께의 합은,상기 기판 하부의 상호 이격되어 식각된 영역의 깊이보다 작은 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 기판의 식각은,Deep RIE(Reactive Ion Etching) 장비를 이용한 건식 식각(Dry Etching) 또는 식각 용액을 통한 습식 식각(Wet Etching)을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 구조물은 n 또는 p 타입 반도체이고,상기 확산층은 상기 구조물과 반대 타입의 반도체로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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