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레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015042385
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요약 본 발명은 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)의 구조에 관한 것으로서, 레이저 광이 출광되는 전면 미러(Mirror) 및 후면 미러 근처 상부 전극으로, 일반적인 전극으로 사용되는 금속에 비해 상대적으로 낮은 광 흡수율을 갖는 투명전극이 제 2 P-전극 패드의 상부 면과 일치하는 높이로 두껍게 형성시킨 구조를 갖도록 함으로써, 광 에너지의 흡수 및 횡 방향으로의 전기적 저항 차이로 인한 상부 전극 파괴 및 손상 문제를 방지할 수 있으며, 더불어, 금속보다 낮은 연성을 갖는 투명전극의 특성으로 인하여, 웨이퍼(Wafer) 단위의 레이저 다이오드 제작시 미러 스크라이빙(Mirror Scribing) 공정이 용이한 효과가 있어서, 열적, 전기적으로 안정적인 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.레이저, 다이오드, 상부전극, 미러, 투명전극
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01)
CPC H01S 5/0287(2013.01) H01S 5/0287(2013.01) H01S 5/0287(2013.01) H01S 5/0287(2013.01)
출원번호/일자 1020060014649 (2006.02.15)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1136161-0000 (2012.04.05)
공개번호/일자 10-2007-0082174 (2007.08.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장영학 대한민국 경기도 군포시 대
2 송희석 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0111420-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0532831-30
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0051140-94
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0467942-77
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0803693-49
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0803692-04
11 등록결정서
Decision to grant
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189858-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
n 타입 불순물이 도핑된 도전성 기판;상기 도전성 기판 하부에 형성되어 있는 N-전극 패드;상기 도전성 기판 상부에 형성되어 있으며, n-클래드층, n-웨이브가이드층, 활성층, 전자방지층, p-웨이브가이드층이 순차적으로 적층되어 이루어진 박막 구조물;상기 p-웨이브가이드층 상부에 형성되며, 상부 중앙이 스트라이프(Stripe) 형상의 리지(Ridge)로 돌출되어진 p-클래드층;상기 p-클래드층의 리지(Ridge) 상부에 형성된 p-오믹 금속층;상기 p-클래드층 상부의 일부 영역에 형성된 투명전극;상기 p-클래드층 상부의 나머지 영역에 형성된 제 1 P-전극 패드 및;상기 제 1 P-전극 패드 상부에 형성되어있는 제 2 P-전극 패드;를 포함하는 레이저 다이오드
2 2
제 1항에 있어서,상기 투명전극은,ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
3 3
제 1항에 있어서,상기 투명전극이 형성된 상기 p-클래드층 상부의 일부 영역은,레이저 광이 출광되는 면과 인접한 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
4 4
제 1항에 있어서,상기 투명전극이 형성된 상기 p-클래드층 상부의 일부 영역은,레이저 광이 출광되는 면과 반대 면에 인접한 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
5 5
제 1항에 있어서,상기 투명전극은,상기 제 2 P-전극 패드 상부 면과 높이가 일치하도록 형성한 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.