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하부에 복수개의 홈이 형성되어 있는 기판;상기 기판 하부의 복수개의 홈을 채우며, 상기 기판 하부에 형성되어 있는 금속층;상기 기판 상부에 형성되어 있으며, 상부의 일부 영역이 일정 깊이 식각되어있는 n-컨택층;상기 n-컨택층 상부의 식각된 일부 영역에 형성되어 있는 N-전극;상기 n-컨택층 상부의 식각되지 않은 나머지 영역에 형성되어있는 n-클래드층;상기 n-클래드층 상부에 형성되며, n-도파층, 활성층, 전자차단층(Electron Blocking Layer, EBL), p-도파층이 순차적으로 적층되어 이루어진 박막구조물;상기 p-도파층 상부에 형성되어 있으며, 상부의 일부 영역에 리지(Ridge) 를 갖는 p-클래드층;상기 p-클래드층의 리지(Ridge) 상부에 형성되어있는 p-컨택층;상기 리지(Ridge)를 포함한 p-클래드층의 노출된 면과 상기 리지(Ridge) 상부에 형성되어있는 p-컨택층의 외부면을 감싸도록 형성되며, 상기 p-컨택층 상부를 노출시키는 개구를 갖는 절연막 및;상기 p-컨택층과 전기적으로 연결되도록, 상기 p-컨택층을 노출하고 있는 상기 절연막의 개구를 채우며, 상기 절연막 상부에 형성되어 있는 P-전극;을 포함하여 이루어지는 레이저 다이오드
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하부에 복수개의 홈이 형성되어 있는 도전성 기판;상기 도전성 기판 하부의 복수개의 홈을 채우며, 상기 도전성 기판 하부에 형성되어 있는 금속층;상기 도전성 기판 상부에 형성되며, n-컨택층, n-클래드층, n-도파층, 활성층, 전자차단층(Electron Blocking Layer, EBL), p-도파층이 순차적으로 적층되어 이루어진 박막구조물;상기 p-도파층 상부에 형성되어 있으며, 상부의 일부 영역에 리지(Ridge) 를 갖는 p-클래드층;상기 p-클래드층의 리지(Ridge) 상부에 형성되어있는 p-컨택층;상기 리지(Ridge)를 포함한 p-클래드층의 노출된 면과 상기 리지(Ridge) 상부에 형성되어있는 p-컨택층의 외부면을 감싸도록 형성되며, 상기 p-컨택층 상부를 노출시키는 개구를 갖는 절연막 및;상기 p-컨택층과 전기적으로 연결되도록, 상기 p-컨택층을 노출하고 있는 상기 절연막의 개구를 채우며, 상기 절연막 상부에 형성되어 있는 P-전극;을 포함하여 이루어지는 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 기판은,Al2O3 기판인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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제 2항에 있어서,상기 도전성 기판은,GaN 기판인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 홈은,수평 단면이 스트라이프(Stripe), 그리드(Grid), 원형(Circle), 육각형(Hexagon) 중 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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기판 하부에 복수개의 홈을 형성하는 단계;상기 기판 하부의 복수개의 홈을 채우며, 상기 기판 하부를 덮는 금속층을 형성하는 단계;상기 기판 상부에 n-컨택층, n-클래드층, n-도파층, 활성층, 전자차단층(Electron Blocking Layer, EBL), p-도파층, p-클래드층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 p-클래드층 상부의 일부 영역에 리지(Ridge)를 형성하는 단계;상기 p-클래드층 상부의 다른 일부 영역을 상기 n-컨택층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하여 상기 n-컨택층 상부를 노출시키고, 상기 노출된 n-컨택층 상부의 일부 영역에 N-전극을 형성하는 단계;상기 리지(Ridge) 상부를 제외한 상기 p-클래드층 상부의 모든 영역에 절연막을 형성하는 단계;상기 리지(Ridge) 상부에 p-컨택층을 형성하는 단계 및;상기 p-컨택층과 상기 절연막 상부에 상기 p-컨택층과 전기적으로 연결되도록 p-전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 레이저 다이오드 제조방법
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도전성 기판 하부에 복수개의 홈을 형성하는 단계;상기 도전성 기판 하부의 복수개의 홈을 채우며 덮는 금속층을 형성하는 단계;상기 도전성 기판 상부에 n-컨택층, n-클래드층, n-도파층, 활성층, 전자차단층(Electron Blocking Layer, EBL), p-도파층, p-클래드층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 p-클래드층 상부의 일부 영역에 리지(Ridge)를 형성하는 단계;상기 리지(Ridge) 상부를 제외한 상기 p-클래드층 상부의 모든 영역에 절연막을 형성하는 단계;상기 리지(Ridge) 상부에 p-컨택층을 형성하는 단계 및;상기 p-컨택층과 상기 절연막 상부에 상기 p-컨택층과 전기적으로 연결되도록 p-전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 레이저 다이오드 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 기판은,Al2O3 기판인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 도전성 기판은,GaN 기판인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
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제 6항 또는 제 7항에 있어서,상기 홈은,수평단면이 스트라이프(Stripe), 그리드(Grid), 원형(Circle), 육각형(Hexagon) 중 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
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