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(a) 수지층에 와이어 그리드의 간격이 1000nm 이하가 되도록 그리드 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 패턴이 형성된 수지층 상면에 전도성 금속층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 패턴의 볼록부에 형성된 전도성 금속층만을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계 전에 기재상에 수지층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제2항 있어서, 상기 기재가 유리, 석영,폴리에스터, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리에스터설폰, 및 폴리에테르케톤 중에서 선택된 1종 이상의 단독수지 또는 혼합수지를 포함하는 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계 이후 편광자 상면에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 수지층이 폴리에스터, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에스터나프테네이트, 및 폴리아크릴레이트 중에서 1종 이상이 선택된 투명한 유기소재를 포함하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계는 간섭 리쏘그래피법에 의해 나노 크기로 미세 패턴화된 스템퍼로 상기 수지층을 가압하고, 열경화 또는 광경화시켜 수행하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 스템퍼가 니켈, 크롬, 및 로듐 중에서 선택된 금속, 또는 에폭시 및 실리콘 중에서 선택된 유기재료를 포함하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 금속층이 Ag, Cu, Cr, Pt, Au, Ni, 및 Al 중에서 선택된 하나 이상를 포함하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 금속층은 두께가 30nm 내지 300nm인 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서 전도성 금속층의 형성은 스퍼터링, 열증착 또는 전자선 증착 방법에 의해 수행하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서 전도성 금속층의 형성은 경사 증착 방법에 의해 수행하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, (c)상기 패턴의 볼록부에 형성된 전도성 금속층만을 선택적으로 제거하는 단계가 (c1)상기 전도성 금속층 상면에 점착제가 코팅된 점착 필름을 합판하는 단계 및 (c2)상기 합판된 점착 필름을 상기 나노 와이어 그리드 패턴의 폭방향과 평행하게 떼어내어 상기 패턴의 볼록부에 형성된 전도성 금속층만을 제거하는 단계를 포함하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 (c2)단계는 상기 합판된 점착 필름을 상기 나노 와이어 그리드 패턴의 폭방향과 평행하게 떼어내는 방법으로 수행되는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, (c)상기 패턴의 볼록부에 형성된 전도성 금속층 만을 선택적으로 제거하는 단계가 상기 (b)단계의 결과물인, 전도성 금속층이 형성된 수지층을 전도성 금속층 제거용 에칭용액에 침지시켜 상기 패턴의 볼록부에 형성된 전도성 금속층만을 제거하는 단계를 포함하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제12항 또는 제14항에 있어서, 상기 그리드 패턴화된 수지층의 오목부의 깊이 대 너비의 종횡비가 2:1 이상인 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계 이후 수지층을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것인 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 (c)단계 이후 편광자 상면에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 나노 와이어 그리드 편광자 제조 방법
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제1항 내지 제14항중 어느 하나의 항의 방법에 의하여 제조된, 와이어 그리드의 간격이 1000nm 이하가 되도록 그리드 패턴화된 수지층 및 상기 그리드 패턴화된 수지층 사이의 오목부에 형성된 전도성 금속층을 포함하는 나노 와이어 그리드 편광자
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