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실리콘 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015042465
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요약 본 발명은, 실리콘 웨이퍼의 표면에 확산 공정에 의해 불순물을 주입함으로써 고농도 불순물 층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼가 탑재되는 캐리어의 쉐도우 효과를 이용하여 전면전극이 배선될 부위에 대응하는 위치의 고농도 불순물 층 상에 하드 마스크로서 반사방지막을 형성하는 단계, 상기 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 실리콘 웨이퍼의 전면에 반사방지막을 도포하는 단계, 상기 고농도 불순물 층의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하는 단계 등으로 우수한 균일도의 선택적 에미터가 형성된 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020060022928 (2006.03.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0910968-0000 (2009.07.30)
공개번호/일자 10-2007-0093163 (2007.09.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성은 대한민국 대전광역시 유성구
2 정지원 대한민국 충청남도 천안시 목천

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0172940-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
3 출원심사청구서
Request for Examination
2007.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0436805-30
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011914-06
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0585199-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0036111-61
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0036112-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
12 등록결정서
Decision to grant
2009.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0213815-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
전면전극의 배선 부위에서 상대적으로 높은 농도의 불순물 층을 가진 선택적 에미터의 형성을 거치는 태양전지의 제조방법으로서, (a) 실리콘 웨이퍼의 표면에 고농도 불순물 층을 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘 웨이퍼의 고농도 불순물 층 상의 전면전극이 배선될 부위에 대응하는 위치에만 선택적으로 개구부를 가지는 쉐도우 마스크에 의해 선택적으로 하드 마스크 층을 형성하는 단계; (c) 상기 하드 마스크를 제외한 고농도 불순물 층을 부분적으로 식각하는 단계; (d) 상기 실리콘 웨이퍼의 전면(前麵) 전체에 반사방지막을 도포하는 단계; 및 (e) 상기 고농도 불순물 층의 반사방지막 상에 전면전극을 배선하는 단계; 를 포함하는 것으로 구성되어 있는 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 층은 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 층의 면저항은 30 내지 100 Ω/㎠인 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 고농도 불순물 층은 N+ 도핑층인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 확산 공정에 의해 고농도 불순물 층을 형성할 때 부수적으로 형성된 인산화물 층을 제거한 후 상기 단계(b)를 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)의 하드 마스크는 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)의 쉐도우 마스크는 실리콘 웨이퍼를 탑재시켜 인-라인(in line) 공정을 수행하는 웨이퍼 캐리어인 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 하드 마스크의 두께는 300 내지 5000 ㎛인 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서의 부분 식각은 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)와 단계(d) 사이에, 하드 마스크를 제거하는 단계(c')를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 하드마스크의 재질과 상기 반사방지막의 동일한 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법
12 12
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13 13
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.