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레이저 다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015042479
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요약 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 수직전극 구조 레이저 다이오드의 하부 전극 형성 전에, 기판 하부의 건식식각(Dry Etching)과 유황화 표면처리를 통해 종래의 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정으로 인한 기판 하부의 기계적 손상영역을 제거하여, 기판 하부가 균일한 표면을 갖도록 함으로써, 하부 전극 형성시 낮은 접촉저항을 갖도록 하며, 접촉저항 값이 기판의 모든 영역에서 균일하도록 한 것을 특징으로 하며, 기판 하부에 표면처리 후 형성되는 유황 보호막을 통해 기판과 전극 사이의 접촉저항을 증가시킬 수 있는 자연 산화막의 발생을 예방함으로써, 보다 안정적이고 신뢰성 있는 후면 전극 특성을 갖도록 하는 장점이 있다.레이저 다이오드, 전극, 제조방법, 접촉저항, 건식식각, 유황
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01)
CPC H01S 5/2214(2013.01) H01S 5/2214(2013.01) H01S 5/2214(2013.01)
출원번호/일자 1020060021962 (2006.03.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1136243-0000 (2012.04.05)
공개번호/일자 10-2007-0092050 (2007.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민구 대한민국 서울특별시 서초구
2 이은아 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0165739-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0588878-10
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060635-93
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0485678-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0831925-48
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0831927-39
11 등록결정서
Decision to grant
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189832-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 기판 상부에 하부 클래드층, 하부 웨이브가이드층, 활성층, 전자방지층, 상부 웨이브가이드층, 상부 클래드층, 오믹층, 상부 전극을 순차적으로 형성하는 단계;상기 도전성 기판 하부를 래핑 및 폴리싱하는 단계;상기 도전성 기판 하부를 건식식각하는 단계;상기 도전성 기판 하부를 유황계 표면처리 용액을 사용하여, 단 원자 보호막을 포함하는 유황 보호막을 형성하는 단계 및;상기 도전성 기판 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 도전성 기판은,질화갈륨(GaN) 기판인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 건식식각은,RIE(Reactive Ion Etching) 방식을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 건식식각은,Cl계 혼합가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 유황계 표면처리 용액은,(NH4)2Sx, Na2S, 알코올-Based S 용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 상부 클래드층은,리지(Ridge) 구조를 갖도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
7 7
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.