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레이저 다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015042497
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요약 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 수직전극 구조 반도체 레이저 다이오드의 하부 전극을 형성 시, 이온빔 증착법, 이온빔 보조 증착법, 이온빔 스퍼터링, RF/DC 스퍼터링 등과 같은 고 에너지 증착 방법을 이용하여 전극을 증착함으로써, 하부 전극의 접촉저항을 낮출 수 있으며, 이와 같은 제조방법을 통해 형성된 레이저 다이오드의 하부 전극은 솔더링(Soldering), 고온 열처리와 같은 고온 환경에서도 접촉저항이 증가되지 않는 효과가 있기 때문에, 열적으로 안정적인 전극 특성을 갖는 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.레이저 다이오드, 접촉저항, 열, 전극, 고에너지, 증착법
Int. CL H01S 5/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01S 5/0213(2013.01) H01S 5/0213(2013.01) H01S 5/0213(2013.01) H01S 5/0213(2013.01)
출원번호/일자 1020060021964 (2006.03.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1136239-0000 (2012.04.05)
공개번호/일자 10-2007-0092051 (2007.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은아 대한민국 서울특별시 강남구
2 강민구 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0165759-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0588864-82
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060636-38
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0486406-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0831928-85
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0831929-20
11 등록결정서
Decision to grant
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0193961-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 기판 상부에 하부 클래드층, 하부 웨이브가이드층, 활성층, 전자방지층, 상부 웨이브가이드층, 상부 클래드층, 오믹층, 상부 전극을 순차적으로 형성하는 단계;상기 도전성 기판 하부를 래핑 및 폴리싱하는 단계;상기 도전성 기판 하부를 건식식각하는 단계 및;상기 도전성 기판 하부에 이온빔 증착법, 이온빔 보조 증착법, 이온빔 스퍼터링, DC 스퍼터링 중 어느 하나의 증착 방법을 통해 하부 전극을 증착하는 단계를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 하부 전극은,Cr, Ti, Al, Pd 중 어느 하나로 이루어지는 레이저 다이오드 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 하부 전극을 증착하는 단계는,솔더의 녹는점보다 높은 온도에서 증착을 수행하는 레이저 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.