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백색 발광 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015042545
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 백색 발광 소자 제조 방법에 관한 것으로, 절연성 기판 상부에 제 1 극성을 갖는 반도체층, 활성층과 상기 제 1 극성과 반대의 제 2 극성을 갖는 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 제 2 극성을 갖는 반도체층을 형광 기판에 접합하는 단계와; 상기 절연성 기판을 제 1 극성을 갖는 반도체층으로부터 이탈시키는 단계와; 상기 절연성 기판이 이탈된 제 1 극성을 갖는 반도체층 면에 제 1 전극을 형성하고, 상기 형광 기판에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.따라서, 본 발명은 활성층을 포함한 발광 구조물에 형광 기판을 접합하여, 발광 구조물에서 방출되는 광이 형광기판에서 파장전환되고, 파장전환된 광과 발광 구조물에서 방출되는 광이 합쳐져서 백색광을 방출할 수 있는 효과가 발생한다. 형광기판, 퓨전본딩, 백색, 노란색, 청색
Int. CL H01L 33/50 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01)
출원번호/일자 1020060021980 (2006.03.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0760131-0000 (2007.09.12)
공개번호/일자 10-2007-0092057 (2007.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노민수 대한민국 경기도 용인시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0165790-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000886-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0142005-16
5 의견서
Written Opinion		 2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0371238-05
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0371249-07
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0462531-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연성 기판 상부에 제 1 극성을 갖는 반도체층, 활성층과 상기 제 1 극성과 반대의 제 2 극성을 갖는 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 제 2 극성을 갖는 반도체층을 형광 기판에 퓨전 본딩(Fusion bonding)으로 접합하는 단계와;상기 절연성 기판을 제 1 극성을 갖는 반도체층으로부터 이탈시키는 단계와;상기 절연성 기판이 이탈된 제 1 극성을 갖는 반도체층 면에 제 1 전극을 형성하고, 상기 형광 기판에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 백색 발광 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 절연성 기판은,사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 절연성 기판을 제 1 극성을 갖는 반도체층으로부터 이탈시키는 단계는,레이저 광을 조사하는 기판을 이탈시키는 레이저 리프트 오프(Laser lift-off) 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자 제조 방법
4 4
도전성 기판 상부에 제 1 극성을 갖는 반도체층, 활성층과 상기 제 1 극성과 반대의 제 2 극성을 갖는 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 제 2 극성을 갖는 반도체층 상부에 형광 기판을 퓨전 본딩(Fusion bonding)으로 접합하는 단계와;상기 도전성 기판 하부에 제 1 전극을 형성하고, 상기 형광 기판에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 백색 발광 소자 제조 방법
5 5
절연성 투명 기판 상부에 제 1 극성을 갖는 반도체층, 활성층과 상기 제 1 극성과 반대의 제 2 극성을 갖는 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 제 2 극성을 갖는 반도체층에서 상기 제 1 극성을 갖는 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;상기 절연성 투명 기판 하부에 형광 기판을 퓨전 본딩(Fusion bonding)으로 접합하는 단계와;상기 메사 식각된 제 1 극성을 갖는 반도체층 상부에 제 1 전극을 형성하고, 상기 제 2 극성을 갖는 반도체층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 백색 발광 소자 제조 방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층은,청색광을 방출하는 활성층이고,상기 형광 기판은,노란색 밴드(Yellow band)를 갖는 형광(Fluorescence) 기판인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 형광 기판은,ZnSe 기판 또는 ZnTe 기판인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 극성을 갖는 반도체층은,N타입 반도체층이고, 상기 제 2 극성을 갖는 반도체층은,P타입 반도체층인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.