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투명기판;상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부; 상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부;상기 투명기판 상에 반투과 물질이 적층되어 형성되되, 조사되는 소정 파장대의 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두개 이상의 반투과부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크
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청구항 1에 있어서,상기 적어도 두개 이상의 반투과부의 광투과율은 반투과 물질의 조성을 달리하거나, 두께를 달리하여 조정되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크
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청구항 2에 있어서,상기 반투과 물질은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여 이들 중 적어도 두개 이상이 결합된 화합물이거나, 상기 주원소에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 결합된 화합물인 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크
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청구항 1에 있어서,상기 광차단부는 반투과물질 막과 차광물질 막이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크
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투명기판 상에 반투과물질 막, 차광물질 막 및 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성하고, 상기 제1 포토레지스트에 대하여 풀(full) 노광과 하프(half) 노광을 수행한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트 부분을 현상함으로써, 풀(full) 노광 영역과 하프(half) 노광 영역을 형성하는 단계;상기 풀(full) 노광 영역에 노출된 상기 차광물질 막과 반투과물질 막을 순차적으로 에칭하여 광투과부를 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트에 대하여 에싱(ashing) 처리를 수행함으로써, 상기 하프(half) 노광 영역에 위치한 상기 차광물질 막을 외부로 노출시키는 단계;상기 외부로 노출된 차광물질 막을 부분 에칭하여 상기 반투과물질 막을 외부로 노출시킴으로써 기본 반투과부를 형성시키고, 상기 잔존하는 제1 포토레지스트를 제거하여 광차단부를 형성시키는 단계;상기 광투과부 상에 반투과 물질을 적층하여 상기 기본 반투과부와 다른 광투과율을 가지는 적어도 하나의 부가 반투과부를 더 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 부가 반투과부를 형성하는 단계는,상기 기본 반투과부, 광투과부 및 광차단부 상에 제2 포토레지스트를 형성하고, 상기 부가 반투과부가 형성될 상기 광투과부 부분만 외부로 노출되도록 상기 제2 포토레지스트를 노광 및 현상하는 과정,상기 외부로 노출된 광투과부 상부와 제2 포토레지스트 상부에 반투과 물질을 적층하는 과정,상기 제2 포토레지스트 및 그 상부에 적층된 반투과 물질은 리프트 오프(lift-off)법으로 제거시키고, 상기 외부로 노출된 광투과부 상부에만 상기 반투과 물질을 잔존시키는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 부가 반투과부를 더 형성하기 위하여 상기 부가 반투과부를 형성하는 단계가 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조방법
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