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소정의 간격을 두고 대향 배치되는 하부기판과 상부기판; 상기 하부기판과 상부기판에 각각 내접하는 하부전극과 상부전극; 상기 하부전극과 상부전극 사이에서 화소를 분할하여 화소공간을 형성하는 격벽; 및 상기 화소공간에 봉입되는 다수의 입자;를 포함하는 것으로, 상기 입자는 플라즈마 처리에 의해 표면이 거칠게 표면개질 된 것임을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 저온 플라즈마(low temperature plasma 또는 glow discharge) 처리인 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 의해 입자는 다공성(porous) 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 의해 입자의 표면에는 가교(cross-linking)나 접목(grafting)이 형성된 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체는 아르곤(Ar), RF(radio frequency) 아르곤(Ar), 헬륨(He), 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2), 암모니아(NH3), 메탄(CH4), 아세틸렌(acetylene), 수소와 질소가 혼합된 저온 RF 또는 이들의 결합으로 이루어진 가스인 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체가 산소(O2) 가스인 경우, 입자의 표면에서는 산화반응이 일어나거나 휘발성 산화물이 생성되는 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체가 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스인 경우, 입자의 표면에는 질소가 함유된 관능기가 생성되는 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체가 아르곤(Ar) 가스이고, RF(radio frequency)로 플라즈마를 일으키는 경우, 입자의 표면에 높이 1 ㎛ 정도의 원추체가 109 cm-2의 밀도로 형성되거나 -C-O 결합이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 의해 입자의 표면 접촉각은 50°이하인 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 의해 입자의 표면은 친수성을 띠는 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자는 고분자 레진 주위에 외첨제가 구형으로 둘러싸여 있는 형태이고, 염색된 안료나 염료 및 대전제어제 중에서 적어도 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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제4항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자는 대전 또는 비대전된 건식입자인 것을 특징으로 하는 전자종이 디스플레이 장치
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