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투명기판;상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부; 상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부;상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과부를 포함하여 이루어지되,상기 광차단부는 순차적으로 적층된 알루미늄막과 차광물질막으로 구성되고, 상기 반투과부는 알루미늄막이며, 상기 투명기판의 양 측면에 형성되는 광차단부는상기 차광물질막이 상기 알루미늄막의 바깥 쪽 측면까지 덮이도록 형성된 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크
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청구항 1에 있어서,상기 반투과부의 광투과율은 상기 알루미늄막의 두께 또는 조성물을 조정하여 결정되는 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크
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청구항 3에 있어서,상기 알루미늄막은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al)을 주원소로 하여 첨가물질이 적어도 하나가 결합된 화합물인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크
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청구항 4에 있어서,상기 첨가물질은 COx, Ox, Nx 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크
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청구항 3에 있어서,상기 알루미늄막의 두께는 1㎚ ~ 100㎚ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크
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청구항 1에 있어서,상기 차광물질막은 50㎚ ~ 200㎚ 사이의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크
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투명기판 상에 알루미늄막, 차광물질막 및 포토레지스트를 순차적으로 형성하되, 상기 차광물질막이 상기 알루미늄막의 전면 및 바깥쪽 측면까지 모두 덮도록 하며, 상기 포토레지스트에 대하여 풀(full) 노광과 하프(half) 노광을 수행한 후, 상기 노광된 포토레지스트 부분을 현상함으로써, 풀(full) 노광 영역과 하프(half) 노광 영역을 형성하는 단계;상기 풀(full) 노광 영역에 노출된 상기 차광물질막과 그 하부에 형성된 알루미늄막을 순차적으로 에칭하여 광투과부를 형성하되, 상기 알루미늄막의 에칭은 인산, 질산 및 초산 중 어느 하나를 이용하는 단계;상기 포토레지스트에 대하여 에싱(ashing) 처리를 수행함으로써, 상기 하프(half) 노광 영역에 위치한 상기 차광물질막을 외부로 노출시키는 단계;상기 외부로 노출된 차광물질막을 부분 에칭하여 상기 알루미늄막을 외부로 노출시킴으로써 반투과부를 형성시키고, 상기 포토레지스트를 박리하여 광차단부를 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 포토레지스트의 박리는 상기 알루미늄막이 제거되지 않는 현상액을 이용하되, 상기 현상액은 아세톤 또는 신나(thinner)인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크의 제조 방법
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