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반도체 레이저 다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015043088
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, 폴리싱 방법과 건식 식각에 전류차단층을 형성함으로써 공정의 단순화에 따른 재료 비용의 절감과 생산 수율을 향상시키는 효과가 있다.이에 본 발명은 기판과 상기 기판 상부에 리지층을 포함하여 제 1 클래드층을 증착하는 단계와 상기 제 1 클래드층의 중심부에 소정의 폭과 두께로 상기 리지층을 증착하는 단계와 상기 제 1 클래드층과 상기 리지층의 상부에 소정의 동일한 두께로 전류 차단층을 증착하는 단계와 상기 전류 차단층 상부에 소정의 두께로 보호막층을 증착하는 단계와 상기 보호막층을 제거하고, 상기 리지층 상부에 증착된 전류차단층을 게거하는 단계를 포함한다. 이때, 리지층 상부에 증착된 전류차단층을 제거하기 위한 또 다른 제조 방법은 식각 마스크를 이용하여 리지층 상부의 전류차단층을 식각하는 단계를 더 포함한다.반도체 레이저 다이오드, 폴리싱, 포토리소스그라피(Photolithgraphy), 식각
Int. CL H01S 5/32 (2006.01)
CPC H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01)
출원번호/일자 1020060040756 (2006.05.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1191888-0000 (2012.10.10)
공개번호/일자 10-2007-0108027 (2007.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20121016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.05)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석구 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0318808-08
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0651213-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0722226-84
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0064559-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0579855-41
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0842509-15
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0842510-62
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189439-14
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0314413-81
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0314412-35
15 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0585520-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P 전극과 N 전극사이에 복수의 층으로 형성되는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법에 있어서,상기 복수의 기능성 단위층을 포함하는 기판 상부에 돌출된 리지층을 포함하여 제 1 클래드층을 증착하는 단계;상기 제 1 클래드층과 상기 리지층의 상부에 소정의 동일한 두께로 전류 차단층을 증착하는 단계;상기 전류 차단층 상부에 소정의 두께로 보호막층을 증착하는 단계;상기 보호막층을 제거하고, 상기 리지층 상부에 증착된 전류 차단층을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 보호막층은 폴리머(Polymer) 재료인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 폴리머(Polymer) 재료는 포토레지스트나 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 보호막층은 스핀 코딩방식에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 보호막층의 제거는 반응 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 반응 가스는 산소(O2), 오존(O3), 프레온(CF4)인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 보호막층을 제거하고, 상기 리지층 상부에 증착된 전류 차단층을 게거하는 단계는 폴리싱(Polishing) 방법에 의한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 폴리싱(Polishing)은 화학,기계적 폴리싱(Chemical-Mechanical Polishing) 방법인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
9 9
P 전극과 N 전극사이에 복수의 층으로 형성되는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법에 있어서,상기 복수의 기능성 단위층을 포함하는 기판 상부에 돌출된 리지층을 포함하여 제 1 클래드층을 증착하는 단계;상기 제 1 클래드층과 상기 리지층의 상부에 소정의 동일한 두께로 전류 차단층을 증착하는 단계;상기 전류 차단층 상부에 소정의 두께로 보호막층을 증착하는 단계;상기 보호막층을 제거하는 단계;식각 마스크를 이용하여 상기 리지층 상부의 전류차단층을 식각하는 단계;를 포함하고,상기 보호막층은 폴리머(Polymer) 재료인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 폴리머(Polymer) 재료는 포토레지스트나 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 보호막층은 스핀 코딩방식에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서,상기 보호막층의 제거는 반응 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 반응 가스는 산소(O2), 오존(O3), 프레온(CF4)인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
15 15
제 9 항에 있어서,상기 보호막층을 제거하는 단계는 폴리싱(Polishing) 방법에 의한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 폴리싱(Polishing)은 화학,기계적 폴리싱(Chemical-Mechanical Polishing) 방법인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
17 17
제 9 항에 있어서,상기 전류차단층을 식각하는 방법은 건식 식각에 의한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 건식 식각은 화학적인 측면에서 반응 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 반응 가스는 산소(O2), 오존(O3), 프레온(CF4)중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.