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배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조방법 및 그 제조 장치

  • 기술번호 : KST2015043147
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요약 본 발명은 배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 갈륨 소스, 및 광화제를 액체 암모니아 용매와 혼합하고 고온고압하에 질화반응시켜 질화갈륨으로 이루어진 결정체 분말을 성장시키는 단계와; 상기 반응에서 발생하는 수소가스가 포함되는 배가스를 흡착제를 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 배가스 제거 시스템을 이용한 질화갈륨 결정체 분말의 제조 방법 및 그 제조 장치에 대한 것이다.본 발명에 의하면, 상용 가능하며 대량생산을 구현할 수 있는 질화갈륨 결정체 분말을 높은 수율로 얻을 수 있다.질화갈륨, GaN, 발광소자, 전자소자
Int. CL C01B 21/06 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01)
CPC C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060039890 (2006.05.03)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0839757-0000 (2008.06.12)
공개번호/일자 10-2007-0107419 (2007.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20080619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고정민 대한민국 대전 중구
2 박은용 대한민국 충북 청주시 상당구
3 윤태훈 대한민국 대전 유성구
4 권태현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0313524-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
3 출원심사청구서
Request for Examination
2007.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0332415-21
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0001052-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0115141-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0313945-52
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0313943-61
9 등록결정서
Decision to grant
2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0289325-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 갈륨 소스, 및 광화제를 액체 암모니아 용매와 혼합하고 400~500℃의 반응온도 및 1,000~2,000atm의 반응압력 하에서 질화반응시켜 질화갈륨으로 이루어진 결정체 분말을 성장시키는 단계; 및(b) 상기 반응에서 발생하는 수소가스를 포함하는 배가스를 흡착제를 이용하여 제거하는 단계를 포함하는 질화갈륨 결정체 분말 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 갈륨 소스가 금속 갈륨, 또는 할로겐화 갈륨인 질화갈륨 결정체 분말 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 광화제는 할로겐화 암모늄, 알칼리 아마이드, 및 알칼리 아자이드로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 질화갈륨 결정체 분말 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 흡착제는Mn 분말, Fe 분말, Co 분말, Ni 분말 및 Cu 분말로 이루어진 A그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일분말;Al 분말, Ga 분말, Mg 분말, Ca 분말로 이루어진 B그룹으로부터 선택된 어느 한 분말과 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 제1합금분말;La 및 Ce로 이루어진 C그룹으로부터 선택된 어느 한 분말과 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 제2합금분말;상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말, 상기 B그룹으로부터 선택된 어느 한 분말 및 상기 C그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 제3합금분말;중에서 선택되는 질화갈륨 결정체 분말 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 제1합금분말에서 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말 100 중량부에 대하여 상기 B그룹으로부터 선택된 어느 한 분말이 50 내지 100 중량부로 배합되고,상기 제2합금분말에서 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말 100 중량부에 대하여 상기 C그룹으로부터 선택된 어느 한 분말이 50 내지 100 중량부로 배합되며,상기 제3합금분말에서 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말 100 중량부에 대하여 상기 B그룹으로부터 선택된 어느 한 분말과 상기 C그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 혼합분말이 50 내지 100 중량부로 배합되는 것인 질화갈륨 결정체 분말 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 얻어진 질화갈륨 결정체 분말을 600~900℃의 온도로, 질소 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 질화갈륨 결정체 분말 제조 방법
8 8
제1항 및 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따라 제조되며 평균 입경이 0
9 9
갈륨 소스, 및 광화제를 액체 암모니아 용매와 혼합하고 400~500℃의 반응온도 및 1,000~2,000atm의 반응압력 하에서 질화반응시켜 질화갈륨으로 이루어진 결정체 분말을 성장시키는 결정체 성장 수단; 및상기 결정체 성장 수단으로부터 배기되는 수소 가스를 포함하는 배가스를 제거하기 위한 수단을 포함하여 구성되되, 상기 배가스 제거 수단은 상기 결정체 생성 수단과는 독립적으로 장치되는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 배가스 제거 수단이, 상기 결정체 성장 수단에서 발생되는 수소가스를 포함하는 배가스를 안내하는 안내관과; 상기 안내관 상에 마련되어 배가스의 유입을 단속하는 제어밸브와; 상기 안내관과 연통되게 마련되며 상기 제어벨브에 의해 유입된 배가스를 흡착하는 흡착제를 수용하는 저장용 셀을 포함하여 구성되는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 흡착제는Mn 분말, Fe 분말, Co 분말, Ni 분말 및 Cu 분말로 이루어진 A그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일분말;Al 분말, Ga 분말, Mg 분말, Ca 분말로 이루어진 B그룹으로부터 선택된 어느 한 분말과 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 제1합금분말;La 및 Ce로 이루어진 C그룹으로부터 선택된 어느 한 분말과 상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 제2합금분말;상기 A그룹으로부터 선택된 어느 한 분말, 상기 B그룹으로부터 선택된 어느 한 분말 및 상기 C그룹으로부터 선택된 어느 한 분말을 혼합한 제3합금분말;중에서 선택되는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치
12 12
질화갈륨으로 이루어진 결정체 분말을 성장시키는 결정체 성장 수단에 착탈가능하게 결합되어 상기 결정체 성장 수단으로부터 배기되는 수소 가스를 포함하는 배가스를 흡착하는 흡착제를 수용하는 저장용 셀을 포함하는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치용 배가스 제거 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 저장용 셀과 상기 결정체 성장 수단을 연결하는 연결수단을 더 포함하는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치용 배가스 제거장치
14 14
제13항에 있어서,상기 연결수단은 일측은 상기 결정체 성장 수단에 접속되고 타측은 상기 저장용 셀에 접속되어, 상기 결정체 성장 수단에서 발생되는 수소가스를 포함하는 배가스를 상기 저장용 셀로 안내하는 안내관과;상기 안내관 상에 마련되어 상기 배가스의 상기 저장용 셀로의 유입을 단속하는 제어밸브를 포함하는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치용 배가스 제거 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 저장용 셀이 상기 안내관에 대해 착탈 가능하도록 상기 저장용 셀에 구비된 압력실링용 어댑터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 결정체 분말의 제조 장치용 배가스 제거 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.