맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘 태양전지의 선택적 에미터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015043178
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 전면부에 전극이 형성될 고농도 불순물 영역과 그 외의 저농도 불순물 영역으로 이루어진 선택적 에미터의 제조방법으로서, 쉐도우 마스크를 사용하여 화학 기상 증착, 스퍼터 증착 또는 전자빔 증착 공정에 의해 패턴화된 얇은 실리콘 산화막을 형성하는 과정; 및 불순물의 열확산에 의해, 산화막이 없는 노출 부위에는 고농도의 불순물 영역을 형성하고, 산화막이 도포된 부위에는 불순물이 상기 산화막을 부분적으로 통과하여 상대적으로 저농도의 불순물 영역을 형성하는 과정을 포함하는 것으로 구성된 선택적 에미터의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 노광 마스크, 감광성 물질, 감광막 식각액 등을 사용하는 포토리쏘그래피 공정을 거치지 않고 불순물 주입 공정을 단 1 회만 행하는 간단한 방법에 의해, 우수한 균일도의 불순물 층과 그에 따라 작동 효율이 우수한 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 21/265 (2014.01) H01L 21/20 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020060039132 (2006.05.01)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0877821-0000 (2009.01.02)
공개번호/일자 10-2007-0106818 (2007.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20090112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.02)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김진호 대한민국 대전광역시 서구
2 정지원 대한민국 충청남도 천안시 목천
3 이성은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0305019-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
3 출원심사청구서
Request for Examination
2007.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0328538-99
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015055-84
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0165075-19
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0365683-47
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0454884-83
9 보정요구서
Request for Amendment
2008.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0081846-03
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0477959-92
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0537870-13
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0537869-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
15 등록결정서
Decision to grant
2008.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0564472-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼의 전면부에 전극이 형성될 제1 불순물 영역과 상기 제1 불순물 영역의 농도보다 낮은 농도의 제2 불순물 영역으로 이루어진 선택적 에미터를 형성하는 방법으로서, (a) 쉐도우 마스크를 사용하여 화학 기상 증착, 스퍼터 증착 또는 전자빔 증착 공정에 의해 패턴화된 실리콘 산화막을 형성하는 과정; 및 (b) 불순물의 열확산에 의해, 산화막이 없는 노출 부위에는 상기 제1 불순물 영역을 형성하고, 산화막이 도포된 부위에는 불순물이 상기 산화막을 부분적으로 통과하여 상기 제1 불순물 영역보다 낮은 농도의 제2 불순물 영역을 형성하는 과정;을 포함하는 것으로 구성되어 있는 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 과정(a)의 실리콘 웨이퍼는 p형 불순물이 도핑된 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 쉐도우 마스크는 전면전극층이 형성될 위치에 대응하는 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 불순물 영역과 일치하는 다수의 격막과 이들 사이의 개구들로 이루어진 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막은 200 내지 2000 Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착 공정은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 공정인 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 과정(b)의 불순물 열확산 공정은 820 내지 950℃의 온도에서 30 내지 180 분간 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조된 선택적 에미터를 포함하는 것으로 구성된 실리콘 태양전지 모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.