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플라즈마 방전을 이용하여 기판 상에 도전막을 증착하기 위한 타겟에 있어서,상기 타겟은 상기 기판과 마주보는 표면에 형성된 엠보싱 패턴을 포함하며,상기 엠보싱 패턴은 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부 및 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하고, 상기 돌출부와 상기 홈부는 원주가 동일한 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟
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제 1 항에 있어서, 상기 엠보싱 패턴은 제 1 방향의 패턴과, 상기 제 1 방향과 인접한 제 2 방향의 패턴이 서로 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟
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반도체 패턴이 형성된 기판을 지지하는 스테이지;상기 반도체 패턴에 도전막을 형성하기 위한 타겟; 및상기 타겟을 지지하기 위한 백 플레이트를 포함하여 구성되며,상기 기판과 마주보는 상기 타겟의 표면에 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부 및 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하는 엠보싱 패턴이 형성되고,상기 돌출부와 상기 홈부는 원주가 동일한 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 5 항에 있어서,상기 엠보싱 패턴은 제 1 방향의 패턴과, 상기 제 1 방향과 인접한 제 2 방향의 패턴이 서로 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 반도체 패턴은 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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분말 형태의 금속재료를 마련하는 단계;상기 금속재료를 성형 틀에 충진하는 단계; 및 표면에 일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부 및 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하는 엠보싱 패턴이 형성된 프레스로 상기 성형 틀에 충진된 상기 금속재료를 압축 및 소결하는 단계를 포함하며,상기 돌출부와 상기 홈부는 원주가 동일한 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 엠보싱 패턴은 제 1 방향의 패턴과, 상기 제 1 방향과 인접한 제 2 방향의 패턴이 서로 지그재그 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 타겟의 제조방법
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일정한 간격으로 형성된 복수의 돌출부 및 상기 복수의 돌출부 사이마다 형성된 복수의 홈부를 포함하는 엠보싱 패턴이 표면에 형성된 타겟을 마련하는 단계;상기 타겟의 엠보싱 패턴과 마주보도록 설치된 스테이지에 반도체 패턴이 형성된 기판을 공급하는 단계; 및 플라즈마 방전을 이용하여 상기 타겟에서 금속이온을 방출시켜 상기 기판에 도전막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 돌출부와 상기 홈부는 원주가 동일한 원호 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법
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제 16 항에 있어서,상기 금속이온은 상기 타겟에서 다각도로 방출됨을 특징으로 하는 스퍼터링 방법
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제 16 항에 있어서,상기 반도체 패턴은 경사면을 포함하며,상기 도전막은 상기 반도체 패턴의 경사면을 포함하도록 상기 기판에 형성됨을 특징으로 하는 스퍼터링 방법
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