맞춤기술찾기

이전대상기술

폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 그를이용한 표시장치와 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015043420
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리실리콘 박막에서 융기된 규칙적인 패턴으로 인한 모아레 현상을 방지할 수 있는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 그를 이용한 표시장치와 그 제조 방법을 제공하는 것이다.이를 위하여, 본 발명의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법은 절연 기판 위에 아모퍼스 실리콘 박막을 형성하는 단계; 상기 아모퍼스 실리콘 박막을 결정화하여 폴리 실리콘 박막을 형성하고, 상기 폴리 실리콘 박막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 절연 기판 위에 상기 활성층을 덮는 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 중 상기 활성층에 대응되는 영역의 표면을 연마하여, 상기 결정화 시, 상기 활성층 표면에 형성된 다수의 돌기가 전사되어 상기 절연막의 표면에서 융기된 돌기들을 제거하는 단계; 상기 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 활성층과 접속된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.OLED, LTPS, SLS, 그레인 바운더리, 모아레, CMP
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자 1020060048464 (2006.05.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1255303-0000 (2013.04.09)
공개번호/일자 10-2007-0114880 (2007.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.12)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오금미 대한민국 서울 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0381915-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0350223-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0030691-26
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0365302-42
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0686825-57
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0686824-12
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0795455-37
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.01.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0002742-32
14 등록결정서
Decision to grant
2013.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0158498-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연 기판 위에 아모퍼스 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 아모퍼스 실리콘 박막을 결정화하여 폴리 실리콘 박막을 형성하고, 상기 폴리 실리콘 박막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계;상기 절연 기판 위에 상기 활성층을 덮는 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 중 상기 활성층에 대응되는 영역의 표면을 연마하여, 상기 결정화 시, 상기 활성층 표면에 형성된 다수의 돌기가 전사되어 상기 절연막의 표면에서 융기된 돌기들을 제거하는 단계;상기 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접속된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
절연 기판 위에 아모퍼스 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 아모퍼스 실리콘 박막을 결정화하여 폴리 실리콘 박막을 형성하고, 상기 폴리 실리콘 박막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계;상기 절연 기판 위에 상기 활성층을 덮는 절연막을 형성하고, 상기 절연막 중 상기 활성층에 대응되는 영역의 표면을 연마하여, 상기 결정화 시, 상기 활성층 표면에 형성된 다수의 돌기가 전사되어 상기 절연막의 표면에서 융기된 돌기들을 제거하는 단계;상기 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 활성층과 접속된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 드레인 전극과 접속된 화소 전극을 형성하는 단계;상기 화소 전극을 노출시키는 발광층 형성 영역을 갖는 뱅크 절연막을 형성하는 단계;상기 뱅크 절연막의 발광층 형성 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.