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다결정 실리콘막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015043452
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요약 본 발명은 액상 실란중합체를 이용한 다결정 실리콘막의 제조방법에 관한 것으로, 특히 액상 실란 중합체로부터 다결정 실리콘을 제조하는 방법에 관한 것이다.액체 상태의 실란중합체에 의해 형성되는 실란중합체막에 서로 다른 세기의 레이저를 연속적으로 조사함으로써, 기상 원료를 이용하는 종래 기술에 비하여 향상된 생산 수율 및 공정시간의 단축, 그리고 생산단가의 저하를 가져올 수 있다. 또한 가열 공정을 배제함으로써, 기판의 선택 폭을 넓히고 특히 플렉서블한 플라스틱 기판 상에 다결정 실리콘막을 형성할 수 있게 된다.액상 실란중합체, 다결정 실리콘
Int. CL H01L 21/477 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020060055617 (2006.06.20)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1272175-0000 (2013.05.31)
공개번호/일자 10-2007-0120839 (2007.12.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재현 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0434613-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0443745-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0023635-15
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0535250-54
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0928801-72
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0928800-26
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0195392-87
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.04.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0015776-88
14 등록결정서
Decision to grant
2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0375033-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
액상 실란중합체를 도포하여 기판 상에 실란중합체막을 형성하는 단계와;상기 실란중합체막에 제 1 레이저를 조사하여 비정질 실리콘막을 형성하는 단계와;상기 제 1 레이저 조사 후 상기 비정질 실리콘막에 제 2 레이저를 조사하여 다결정 실리콘막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 액상 실란중합체는 SinH2n으로 표시되고 3≤n003c#10이며, 상기 제 2 레이저는 상기 제 1 레이저보다 큰 에너지밀도를 가지며, 상기 제 1 레이저는 100~200mJ/cm2의 에너지 밀도를 갖고 상기 제 2 레이저는 200~400mJ/cm2의 에너지 밀도를 갖고,상기 비정질 실리콘막의 형성 단계는 상기 비정질 실리콘막의 잔존 수소 농도가 20% 이하에 이르도록 진행되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 반도체층용 다결정 실리콘막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 액상 실란중합체는 사이클로펜타실란인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 실란중합체막의 형성 단계는 상온, 상압 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 반도체층용 다결정 실리콘막의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 반도체층용 다결정 실리콘막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 실란중합체막의 형성 단계 이전에 상기 액상 실란중합체에 광조사하는 단계를 더욱 포함하는 박막트랜지스터의 반도체층용 다결정 실리콘막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.