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1
서로 마주대하는 제 1 기판 및 제 2 기판과;상기 제 1 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선과 연결되며 형성된 스위칭 박막트랜지스터와;상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결되며 형성된 구동 박막트랜지스터와;상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 연결전극과;상기 제 2 기판 내측면에 형성되며 상기 제 2 기판을 이루는 재질의 굴절율보다는 크고 상기 연결전극을 이루는 재질보다는 작은 굴절율을 갖는 제 1 버퍼층과;상기 제 1 버퍼층과 동일물질로 동일층에 형성된 컬럼 스페이서와;상기 제 1 버퍼층 및 상기 컬럼 스페이서 하부에 형성된 제 1 전극과;상기 제 1 전극 하부로 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선에 대응하여 형성된 격벽과;상기 제 1 전극 하부로 상기 각 화소영역에 대응하여 상기 격벽에 의해 분리되며 형성된 유기 발광층과;상기 유기 발광층 하부로 각 화소영역별로 분리되며 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 컬럼 스페이서의 끝단에 형성된 상기 제 2 전극이 상기 연결전극과 접촉하며 형성된 것을 특징으로 하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자
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2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 기판은 유리재질로 이루어지며, 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어진 것이 특징인 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자
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| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층은 가시광대역의 굴절율 값이 1
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4
제 3 항에 있어서,상기 가시광대역의 굴절율 값이 1
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5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기 발광층은, 정공수송층(hole transporting layer), 정공주입층(hole injection layer), 발광층(emitting material layer), 전자주입층(electron injection layer) 및 전자수송층(electron transporting layer)으로 구성되는 것이 특징인 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자
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6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 전극과 격벽 사이에는 제 2 버퍼층이 더욱 형성된 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자
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| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 버퍼층 사이에는 보조전극이 더욱 형성되며, 상기 보조전극은 상기 제 2 버퍼층에 의해 완전히 덮혀진 상태인 것이 특징인 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자
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8
화소영역이 정의된 제 1 기판 상에 제 1 두께의 유기 물질층을 형성하는 단계와;상기 유기 물질층을 패터닝하여 상기 화소영역 일부에 상기 제 1 두께의 컬럼 스페이서와 그 외의 영역에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 1 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 컬럼 스페이서와 제 1 버퍼층 위로 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 위로 상기 화소영역의 경계에 격벽을 형성하는 단계와;상기 화소영역 내의 상기 제 1 전극 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와;상기 화소영역 내의 유기 발광층 위로 제 2 전극을 형성하는 단계와;제 2 기판 내측면에 상기 화소영역에 대응하여 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 연결전극을 형성하는 단계와;상기 연결전극과 상기 컬럼 스페이서 상부에 형성된 제 2 전극을 접촉시키며 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제 1 두께의 컬럼 스페이서와 그 외의 영역에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 1 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 유기 물질층 위로 포토레지스트층을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트층을 반투과영역을 포함하는 노광 마스크를 이용하여 노광하는 단계와;상기 노광된 포토레지스층을 현상하여 제 3 두께의 제 1 포토레지스트 패턴과 상기 제 3 두께보다 얇은 제 4 두께의 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 유기 물질층을 식각하는 단계와;애싱을 실시하여 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와;상기 제 1 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 유기 물질층을 언더 에칭을 실시하여 상기 제 1 두께의 컬럼 스페이서와 상기 제 2 두께의 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법
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10
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 두께의 컬럼 스페이서와 그 외의 영역에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께의 제 1 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 유기 물질층 위로 포토레지스트층을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트층을 투과영역과 차단영역을 포함하는 노광 마스크를 이용하여 노광하는 단계와;상기 노광된 포토레지스층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 유기 물질층을 언더 에칭(under etching)을 실시하여 상기 제 1 두께의 컬럼 스페이서와 상기 제 2 두께의 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법
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11
제 8 항에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 단계 이전에는,상기 제 1 전극 위로 상기 화소영역의 경계에 제 2 버퍼층을 더욱 형성하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법
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12
제 11 항에 있어서, 상기 제 2 버퍼층을 형성하기 이전에는,상기 제 2 버퍼층 하부의 상기 제 1 전극 위로 보조전극을 더욱 형성하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조 방법
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