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초소수성 물질을 이용한 용액 타입의 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015043599
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요약 본 발명에서는 알킬 케톤 다이머 또는 디알킬케톤과 같은 초소수성의 성질을 갖는 물질을 기판의 선택된 영역으로 적층한 뒤, 소자 물질이 분산되어 있는 용액 상태의 물질 사이의 표면반발력 또는 친화력에 따른 자기배열을 이용하여 직접적으로 기판 상에 금속 배선 등의 패턴을 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면 초소수성을 갖는 물질의 극대화된 자기배열에 의하여 미세한 패턴을 균일하게 형성할 수 있을 뿐 아니라, 종래의 마스크 공정에 비하여 공정이 크게 단순화되어 제조비용의 절감 및 공정의 효율성을 이룰 수 있을 것으로 기대된다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020060055095 (2006.06.19)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1235699-0000 (2013.02.15)
공개번호/일자 10-2007-0120390 (2007.12.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미경 대한민국 경기 안양시 동안구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0428772-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0428208-88
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037982-15
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0461079-84
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0811348-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0811347-34
12 등록결정서
Decision to grant
2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0059919-92
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번호 청구항
1 1
기판 상에 자기배열된 물질과 그 상부에 도포되는 용액 사이의 표면반발력을 이용한 패턴 형성 방법으로서, (a) 디아킬케톤, 알킬케톤다이머, 또는 이들 혼합물에서 선택되는 소수성 물질을 상기 기판의 선택된 영역으로 적용하여 소수성 단층막을 형성하는 단계;(b) 상기 소수성 단층막이 형성된 기판의 전면으로 소수성 작용기 또는 친수성 작용기를 갖는 용매에 분산된 소자 물질이 함유된 용액을 도포하여 상기 기판의 상면을 노출하는 소수성 단층막 상부 또는 상기 소수성 단층막에 의해 노출된 상기 기판 상부에 분산 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 분산 패턴이 형성된 기판을 열처리하여 상기 기판 상으로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 소수성 물질을 상기 기판 상면에 적용하는 단계와, 상기 소수성 물질을 용융시키는 단계와, 상온에서 냉각시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 기판을 상기 용액에 침지하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 용매는 친수성 용매인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
5 5
제 1항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매는 말단에 아민기, 하이드록시기를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 용액에 계면활성제가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 소자 물질은 나노 크기의 금속 파티클, 유기 분자, 또는 유무기 하이브리드 분자인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
8 8
제 1항 또는 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자 물질은 금, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄-네오디뮴 혼합물, ITO에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 소자 물질이 함유된 용액은 절연체 조성물인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 100 ~ 150 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.