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말단 작용기의 자기배열을 이용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015043618
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 상면으로 말단에 극성이 대립되는 작용기, 예컨대 소수성 작용기와 친수성 작용기를 갖는 분자 수준의 단층막을 형성하고, 그 상면으로 어느 하나의 작용기와 친화적으로 결합할 수 있는 작용기를 가지는 용매로 분산된 미세 물질을 도포함으로써, 기판 상에 선택된 영역으로만 원하는 패턴을 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면 패턴 형성 공정이 단순화되어 공정의 효율성이 향상될 뿐 아니라 소자의 제조비용을 크게 절감할 수 있고 나노 입자는 물론이고 유기 박막, 유-무기 하이브리드를 갖는 소자에도 적용할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020060055785 (2006.06.21)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1242031-0000 (2013.03.05)
공개번호/일자 10-2007-0121125 (2007.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.13)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미경 대한민국 경기 안양시 동안구
2 이보현 대한민국 서울 성북구
3 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0437077-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0443733-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0023636-61
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0464421-11
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0820075-21
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0820074-86
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0064453-35
13 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2013.03.05 수리 (Accepted) 2-1-2013-0122266-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 패턴을 형성하는 방법으로서, (a) 상기 기판 상면의 제 1 부분에 제 1 극성의 작용기를 갖는 물질의 제 1 단층막과, 상기 제 1 단층막 사이로 상기 기판 상면의 제 2 부분에 상기 제 1 극성과 대립되는 제 2 극성의 작용기를 갖는 물질의 제 2 단층막을 형성하는 단계;(b) 기판의 전면으로 상기 제 1 극성의 작용기 또는 상기 제 2 극성의 작용기를 갖는 용매로 분산된 소자 물질이 함유된 용액을 도포하는 단계;(c) 상기 소자 물질이 도포된 기판을 열처리하여 상기 기판 상으로 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계에서 상기 소자 물질과 상기 용매는 미셀 구조를 이루며 상기 용액은 상기 제 1 단층막 또는 제 2 단층막 중 어느 하나에 섬형상으로 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 제 1 극성의 작용기는 소수성 작용기이고, 상기 제 2 극성의 작용기는 친수성 작용기인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 극성의 작용기는 친수성 작용기이고, 상기 제 2 극성의 작용기는 소수성 작용기인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
4 4
제 2항 또는 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 작용기는 알킬기인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
5 5
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a) 단계는, 상기 제 1 단층막이 형성된 상기 기판을 상기 제 2 극성을 갖는 물질을 함유한 용액에 침지시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제 1 단층막은 메틸디클로로실란(methyl dichloro silane), 메틸트리클로로실란(methyl trichloro silane), 디메틸클로로실란(dimethyl chloro silane), 디메틸디클로로실란(dimethyl dichloro silane), 클로로메틸메틸디클로로실란(chloromethyl methyl dichloro silane), 프로필트리클로로실란(propyl trichloro silane), 프로필메틸디클로로실란(propyl methyl dichloro silane), 트리메틸클로로실란(trimethyl chloro silane), 트리메틸플루오로실란(trimetyhl fluro silane), 트리메틸브로모실란(trimethyl bromo silane), 테트라메틸실란(tetramethyl silane), 트리에틸클로로실란(triethyl chloro silane), 테트라에틸실란(tetraethyl silane), 프로필트리클로로실란(propyl trichloro silane), 트리이소프로필클로로실란(tri-isoproyl chloro silane), 옥틸트리클로로실란(octyl trichloro silane), 도데실트리클로로실란(dodecyl trichloro silane), 옥타데실트리클로로실란(octadecyl trichloro silane)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
7 7
제 2항 또는 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 친수성 작용기는 알콕시기인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제 2 단층막은 트리메톡시실란(trimethoxy silane), 트리에톡시실란(triethoxy silane), 클로로메틸트리메톡시실란(chloromethyl trimethoxy silane), 메틸트리메톡시실란(methyl trimethoxy silane), 클로로메틸트리에톡시실란(chloromethyl triethoxy silane), 메틸트리에톡시실란(methyl triethoxy silane), 디클로로메틸트리에톡시실란(dichloromethyl triethoxy silane), 클로로메틸메틸디메톡시실란(chlromethyl methyl dimethoxy silane), 클로로메틸메틸디에톡시실란(chloromethyl methyl diethoxy silane), 디클로로메틸트리에톡시실란(dichoromethyl triethoxy silane), 메틸트리프로폭시실란(methyl tripropoxy silane), 메틸트리부톡시실란(methyl tributoxy silane), 메틸디메톡시실란(methyl dimethoxy silane), 메틸디에톡시실란(methyl diethoxy silane), 디메틸디메톡시실란(dimehtyl dimethoxy silane), 디메틸디에톡시실란(dimethyl diethoxy silane), 테트라메톡시실란(tetramethoxy silane), 테트라에톡시실란(tetraethoxy silane), 프로필트리메톡시실란(propyl trimethoxy silane), 테트라프로폭시실란(tetrapropoxy silane), 테트라이소프로폭시실란(tetraisopropoxy silane), 프로필트리메톡시실란(propyl trimethoxy silane), 클로로프로필트리메톡시실란(chloropropyl trimethoxy silane), 프로필트리에톡시실란(propyl triethoxy silane), 클로로프로필트리에톡시실란(chloropropyl triethoxy silane), 클로로프로필메틸디메톡시실란(chloropropyl methyl dimethoxy silane), 클로로프로필메틸디에톡시실란(chloropropyl methyl diethoxy silane), 부틸트리메톡시실란(butyl trimethoxy silane), 부틸트리에톡시실란(butyl triethoxy silane), 테트라부톡시실란(tetrabutoxy silane), 테트라키스(부톡시에톡시)실란(tetrkis(buxoxy ethoxy) silane), 옥틸트리에톡시실란(octyl triethoxy silane), 옥틸메틸디에톡시실란(octyl methyl diethoxy silane), 도데실트리메톡시실란(dodecyl trimethoxy silane), 도데실메틸디메톡시실란(dodecyl methyl dimethoxy silane), 옥타데실트리메톡시실란(octadecyl trimethoxy silane), 옥타데실 메틸 디메톡시실란(octadecyl methyl dimethoxy silane), 옥타데실트리에톡시실란(octadecyl triethoxy silane), 옥타데실메틸디에톡시실란(octadecyl methyl diethoxy silane), 사이클로헥실트리에톡시실란(cyclohexyl triethoxy silane), 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-glycidoxy propyl trimethoxy silane)과 같은 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란(glycidoxy propyl triethoxy silane), 글리시독시프로필메틸디메톡시실란(glycidoxy propyl methyl diethoxy silane), 글리시독시프로필메틸디에톡시실란(glycidoxy propyl methyl diethoxy silane)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는, 상기 제 1 극성의 작용기를 갖는 물질층을 상기 기판의 상면 전면에 형성하는 단계와, 상기 제 1 부분을 제외한 상기 제 2 부분에 UV를 조사하여 상기 제 1 극성의 작용기가 상기 제 2 극성의 작용기로 치환됨으로써 상기 제 1 부분의 상기 물질층은 상기 제 1 단층막을 이루고고 상기 제 2 부분의 상기 물질층은 상기 제 2 단층막을 이루는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
10 10
제 1항 또는 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 극성의 작용기는 페닐기인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제 1 단층막은 페닐트리클로로실란(phenyl trichloro silane), 페닐아미노메틸트리클로로실란(phenyl amino methyl trichloro silane), tert-부틸디페닐클로로실란(tert-butyl diphenyl chloro silane)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 용매는 친수성 용매인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
13 13
제 1항 또는 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매는 말단에 아민기 또는 하이드록시기를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 용액에 계면활성제가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 계면활성제는 N-(6-아미노헥실)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(6-aminohexyl)-3-aminopropyl trimethoxy silane), 아미노헥실아미노메틸트리에톡시실란(aminohexyl aminomethyl triethoxy silane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxy silane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl triethoxy silane), N-베타-(아미노에틸)-감마-아미노프로필메틸디메톡시실란(N-β-(aminoetyhl)-γ-aminopropyl methyl dimethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl trimethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필트리에톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl triethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl methyl dimethoxy silane), N-[N'-(2-아미노에틸)아미노에틸]-3-아미노프로필 메틸 디에톡시실란(N-[N']-(2-aminoethyl) aminoethyl]-3-aminopropyl methyl dimethoxy silane), 3-(N-사이클로헥실아미노)프로필트리메톡시실란(3-(N-cyclohexyl amino) propyl trimethoxy silane), 아미노프로필트리메톡시실란(aminopropyl trimethoxy silane), 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyl triethoxy silane)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
16 16
제 1항에 있어서, 상기 소자 물질은 나노 크기의 금속 파티클, 유기 분자, 또는 유무기 하이브리드 분자인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
17 17
제 1항 또는 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자 물질은 금, 은, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄-네오디뮴 혼합물, ITO에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
18 18
제 1항에 있어서, 상기 용액은 절연체 조성물인 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
19 19
제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 100 ~ 150 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴을 형성하는 방법
20 20
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21 21
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22 22
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