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기판상에 형성된 박막 패턴을 덮는 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 덮는 희생막을 형성하는 단계;상기 희생막 상에 형성된 포토레지스트 필름을 패터닝하여, 상기 박막 패턴의 일부를 노출하는 개구를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 희생막을 식각 하여 상기 절연막을 노출하는 희생막 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 스트립하는 단계;상기 희생막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 절연막을 패터닝하여, 상기 박막 패턴을 노출하는 콘택홀을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 희생막을 제거하는 단계를 포함하고,상기 희생막은 박막 패턴의 노출이 유지된 상태에서 제거되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생막은 투명한 도전막인 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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제1에 있어서, 상기 희생막은 산화 주석 인듐, 산화 아연 인듐, 아멀퍼스-산화 주석 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생막은 금속막인 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생막은 상기 절연막 상에 배치된 금속막 및 상기 금속막 상에 배치된 투명한 도전막인 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생막은 습식 식각에 의하여 제거되고, 상기 절연막은 건식 식각에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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7
액티브패턴, 액티브패턴을 덮는 게이트절연막, 상기 게이트절연막 상에 형성된 게이트전극 상기 게이트전극을 덮는 층간 절연막 위에 희생막을 형성하는 단계;상기 희생막 상에 상기 액티브 패턴의 소오스 및 드레인 영역들과 대응하는 부분들을 노출하는 제1 및 제2 개구들을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 희생막을 패터닝하여 상기 제1 및 제2 개구들과 대응하는 층간 절연막을 각각 노출하는 희생막 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 상기 희생막 패턴으로부터 제거하는 단계;상기 희생막 패턴을 이용하여 상기 층간절연막 및 상기 게이트절연막을 패터닝하여 상기 소오스영역과 대응하는 제1콘택홀 및 상기 드레인영역과 대응하는 제2콘택홀들이 형성된 층간 절연막 패턴 및 게이트 절연막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 희생막 패턴을 상기 층간 절연막 패턴으로부터 제거하는 단계; 및상기 각 소오스영역에 소오스 전극 및 상기 드레인 영역에 드레인 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하고,상기 희생막은 박막 패턴의 노출이 유지된 상태에서 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 희생막은 투명한 도전막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 희생막은 산화 주석 인듐, 산화 아연 인듐, 아멀퍼스-산화 주석 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 희생막은 금속막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 희생막은 상기 절연막 상에 배치된 금속막 및 상기 금속막 상에 배치된 투명한 도전막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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12
제7항에 있어서, 상기 희생막은 습식 식각에 의하여 제거되고, 상기 절연막은 건식 식각에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 절연막의 제거는 박막 패턴이 노출될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 형성 방법
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