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액정표시장치 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2015043816
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 액정표시장치는 기판; 상기 기판 상에 일정한 간격을 갖고 일방향으로 형성되는 게이트 라인 및 상기 게이트 라인에서 돌출 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 상기 게이트 라인과 오버랩되지 않고 형성되는 리던던시 라인; 상기 게이트 라인을 포함한 상기 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 선택된 나노 물질로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층 상에 상기 반도체층의 양 측면을 노출시키도록 상기 반도체층의 중앙에 대응되도록 형성된 고정판;상기 리던던시 라인과 전기적으로 연결되면서 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 형성되어 화소영역을 정의하는 데이터 라인; 상기 데이터 라인에서 돌출 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 일정 간격 이격 형성된 드레인 전극; 및 상기 드레인 전극에 연결되고 상기 화소 영역에 형성되는 화소전극을 포함하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 각각 노출된 상기 반도체층의 일 측면과 타 측면을 덮고, 동시에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 상기 고정판의 양 측면까지 연장 형성된다.액정표시장치, 나노와이어, 리던던시 라인, 고정판
Int. CL	B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC	G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01)
출원번호/일자	1020060057901 (2006.06.27)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1243791-0000 (2013.03.08)
공개번호/일자	10-2008-0000251 (2008.01.02) 문서열기
공고번호/일자	(20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.06.13)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	차승환	대한민국	인천광역시 남동구
2	박복선	대한민국	경기도 안양시 동안구
3	추교섭	대한민국	경기도 수원시 장안구
4	이보현	대한민국	서울 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	심창섭	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 *, 현대빌딩 층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.06.27	수리 (Accepted)	1-1-2006-0456725-10
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.06.13	수리 (Accepted)	1-1-2011-0440685-14
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.07.23	수리 (Accepted)	9-1-2012-0058859-44
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.08.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0458554-99
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.10.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0814884-55
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.10.08	수리 (Accepted)	1-1-2012-0814887-92
12	등록결정서 Decision to grant	2013.02.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0107915-70

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 일정한 간격을 갖고 일방향으로 형성되는 게이트 라인 및 상기 게이트 라인에서 돌출 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 상기 게이트 라인과 오버랩되지 않고 형성되는 리던던시 라인;상기 게이트 라인을 포함한 상기 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 선택된 나노 물질로 이루어진 반도체층;상기 반도체층 상에 상기 반도체층의 양 측면을 노출시키도록 상기 반도체층의 중앙에 대응되도록 형성된 고정판;상기 리던던시 라인과 전기적으로 연결되면서 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 형성되어 화소영역을 정의하는 데이터 라인;상기 데이터 라인에서 돌출 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 일정 간격 이격 형성된 드레인 전극; 및상기 드레인 전극에 연결되고 상기 화소 영역에 형성되는 화소전극을 포함하며,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 각각 노출된 상기 반도체층의 일 측면과 타 측면을 덮고, 동시에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 상기 고정판의 양 측면까지 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 드레인 전극과 화소전극은 일체형인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 투명한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 기판 상에 일정한 간격을 갖고 일방향으로 게이트 라인, 이에 돌출된 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 상기 게이트 라인과 오버랩되지 않도록 리던던시 라인을 형성하는 단계;상기 게이트 라인을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 선택된 나노 물질로 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 상기 반도체층의 양 측면을 노출시키도록 상기 반도체층의 중앙에 대응되도록 고정판을 형성하는 단계;상기 리던던시 라인의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 반도체층 일측면에 상기 콘택홀을 통해 상기 리던던시 라인과 전기적으로 연결되면서 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 화소영역을 정의하는 데이터 라인을 형성하고, 동시에 상기 데이터 라인에서 돌출되는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 일정 간격 이격되는 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 화소 영역에 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 각각 노출된 상기 반도체층의 일 측면과 타 측면을 덮고, 동시에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 상기 고정판의 양 측면까지 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 드레인 전극과 화소전극은 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
9	9 제 7 항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 투명한 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
10	10 삭제
11	11 삭제
12	12 제 7 항에 있어서,상기 고정판은 상기 반도체층을 포함한 기판의 전면에 감광성 고분자층을 형성하는 단계; 및상기 감광성 고분자층을 노광 및 현상하여 패터닝하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 감광성 고분자층은 포토 아크릴막을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
14	14 제 7 항에 있어서, 상기 게이트 라인과 리던던시 라인은 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
15	15 제 7 항에 있어서, 상기 게이트 라인과 리던던시 라인은 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
16	16 제 7 항에 있어서, 상기 데이터 라인 및 화소전극은 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1243791-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060627 출원 번호 : 1020060057901 공고 연월일 : 20130318 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130218 청구범위의 항수 : 11 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 액정표시장치 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	474,000 원	2013년 03월 11일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2016년 02월 26일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2017년 02월 15일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2018년 02월 13일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2019년 02월 15일	납입
제 8 년분	금 액	518,000 원	2020년 02월 19일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.06.27	수리 (Accepted)	1-1-2006-0456725-10
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2011.06.13	수리 (Accepted)	1-1-2011-0440685-14
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
7	선행기술조사의뢰서	2012.06.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2012.07.23	수리 (Accepted)	9-1-2012-0058859-44
9	의견제출통지서	2012.08.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0458554-99
10	[명세서등 보정]보정서	2012.10.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0814884-55
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.10.08	수리 (Accepted)	1-1-2012-0814887-92
12	등록결정서	2013.02.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0107915-70


기술번호	KST2015043816
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	액정표시장치 및 이의 제조방법
기술개요	본 발명은 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 액정표시장치는 기판; 상기 기판 상에 일정한 간격을 갖고 일방향으로 형성되는 게이트 라인 및 상기 게이트 라인에서 돌출 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 상기 게이트 라인과 오버랩되지 않고 형성되는 리던던시 라인; 상기 게이트 라인을 포함한 상기 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 선택된 나노 물질로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층 상에 상기 반도체층의 양 측면을 노출시키도록 상기 반도체층의 중앙에 대응되도록 형성된 고정판;상기 리던던시 라인과 전기적으로 연결되면서 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 형성되어 화소영역을 정의하는 데이터 라인; 상기 데이터 라인에서 돌출 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 일정 간격 이격 형성된 드레인 전극; 및 상기 드레인 전극에 연결되고 상기 화소 영역에 형성되는 화소전극을 포함하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 각각 노출된 상기 반도체층의 일 측면과 타 측면을 덮고, 동시에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극이 상기 고정판의 양 측면까지 연장 형성된다.액정표시장치, 나노와이어, 리던던시 라인, 고정판
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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