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유기 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015043820
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요약 본 발명의 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor; OTFT)의 제조방법은 자기조립단분자막(Self-Assembly Monolayer; SEM) 처리한 기판 표면에 귀금속 나노입자를 이용하여 소오스/드레인전극을 형성함으로써 유기막과의 코팅특성을 향상시키고 공정을 단순화하기 위한 것으로, 기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극이 형성된 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 유기물질로 액티브패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브패턴 위에 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 상기 자기조립단분자막이 형성된 기판을 금 나노입자용액에 담그는 단계; 상기 기판을 Au3++NH2OH용액에 소정시간 담가 상기 액티브패턴 표면에 금 나노입자를 성장시켜 금 도전막을 형성하는 단계; 상기 금 도전막을 선택적으로 패터닝하여 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 콘택홀이 형성된 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 전기적으로 접속하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.유기 박막 트랜지스터, 자기조립단분자막, 귀금속 나노입자, 유기막
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01)
출원번호/일자 1020060058954 (2006.06.28)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1331899-0000 (2013.11.15)
공개번호/일자 10-2008-0000988 (2008.01.03) 문서열기
공고번호/일자 (20131122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경록 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 서현식 대한민국 경기 안양시 동안구
3 백승한 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0465000-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0494403-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0079561-81
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0725905-18
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0086844-42
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0086838-78
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0383231-55
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0696732-23
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0696736-16
15 등록결정서
Decision to grant
2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0747150-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극이 형성된 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막 위에 유기물질로 액티브패턴을 형성하는 단계;상기 액티브패턴 위에 자기조립단분자막을 형성하는 단계;상기 자기조립단분자막이 형성된 기판을 금 나노입자용액에 담그는 단계;상기 기판을 Au3++NH2OH용액에 소정시간 담가 상기 액티브패턴 표면에 금 나노입자를 성장시켜 금 도전막을 형성하는 단계;상기 금 도전막을 선택적으로 패터닝하여 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;상기 기판 위에 콘택홀이 형성된 보호막을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 전기적으로 접속하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연막은 Al2O3, Ta2O5, La2O5, TiO2, Y2O3의 강유전성 절연체, SiO, SiN, AlON의 무기절연체 또는 폴리이미드(polyimide), BCB(benzocyclobutene), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol), 폴리아크릴레이트(polyacrylate)의 유기절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 유기물질은 펜타센(pentacene)의 저분자 유기물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 액티브패턴이 형성된 기판에 산-염기 표면처리와 세정 및 건조공정을 진행한 후에 상기 자기조립단분자막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 금 나노입자용액은 상기 금 나노입자가 용해된 콜로이드용액인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막이 형성된 기판을 상기 금 나노입자용액에 0
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 Au3++NH2OH용액에 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 금 도전막의 패터닝은 포토리소그래피공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 금 도전막의 패터닝은 비포토리소그래피공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 Au3++NH2OH용액에 담긴 기판을 꺼내 삼차 증류수로 씻은 후 질소 가스로 건조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.