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기판;상기 기판 상부 소정의 부위에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 형성되는 자화금속;상기 자화 금속을 둘러싸면서 형성되고 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 형성된 고정판; 및 상기 고정판이 노출되도록 홀이 형성되며, 상기 홀을 사이에 두고 서로 이격되어 이중금속막으로 형성되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 전극과 드레인 전극은 투명한 금속으로 이루어진 막과 상기 투명한 금속으로 이루어진 막 상부에 저저항 금속으로 이루어진 막의 이중금속막으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 투명한 금속으로 이루어진 막은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나이고, 상기 저저항 배선으로 이루어진 막은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-우라늄(MoW) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판;상기 기판 상부 소정의 부위에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 형성되는 자화금속;상기 자화 금속을 둘러싸면서 형성되고 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 이루어진 반도체층;상기 반도체층 상부의 중앙 부위에 형성된 고정판; 상기 고정판이 노출되도록 홀이 형성되며, 상기 홀을 사이에 두고 서로 이격되어 이중금속막으로 형성되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 형성되며, 상기 드레인 전극 상부에 콘택홀을 구비한 보호막; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 형성된 화소전극을 포함하며, 상기 소스 전극과 드레인 전극은 투명한 금속으로 이루어진 막과 상기 투명한 금속으로 이루어진 막 상부에 저저항 배선으로 이루어진 막의 이중금속막으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 6 항에 있어서,상기 투명한 금속으로 이루어진 막은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나이고, 상기 저저항 배선으로 이루어진 막은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-우라늄(MoW) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 6 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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기판 상부 소정의 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 중앙 부분의 게이트 절연막 상에 자화금속을 형성하는 단계;상기 자화금속을 둘러싸면서 상기 자화금속의 측면과 자장입자에 의해 결합되는 나노물질로 구성된 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상부의 중앙 부분에 고정판을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 이중금속막으로 형성한 뒤, 상기 고정판이 노출되도록 홀을 형성하며, 상기 홀을 사이에 두고 서로 이격되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 반도체층, 자화금속을 포함한 기판 전면에 투명한 금속으로 이루어진 막과 상기 투명한 금속으로 이루어진 막의 상부에 저저항 배선으로 이중금속막을 형성하는 단계; 및상기 이중금속막을 선택적으로 패터닝하여 상기 홀을 형성하여 상기 홀을 사이에 두고 이격된 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 투명한 금속으로 이루어진 막은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 어느 하나를 사용하고, 상기 저저항 배선으로 이루어진 막은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-우라늄(MoW) 중 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노와이어, 나노케이블 및 나노튜브 중 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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