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교번자기장결정화를 이용한 액정표시소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015043867
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정질실리콘(poly silicon ; p-Si) 액정표시소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 금속막을 패턴화한 후 비정질실리콘(amorphous silicon ; a-Si)을 교번자기장결정화(AMFC ; Alternating Magnetic Field Crystallization) 방법으로 실리콘의 결정성을 향상시켜 액정표시소자를 제조하는 방법이다.교번자기장결정화(AMFC), 결정질실리콘(poly silicon ; p-Si), 비정질실리콘(amorphous silicon ; a-Si)
Int. CL G02F 1/1368 (2006.01)
CPC G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01)
출원번호/일자 1020060058951 (2006.06.28)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1227400-0000 (2013.01.23)
공개번호/일자 10-2008-0000985 (2008.01.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남대현 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0464995-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0494398-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0475779-08
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0836201-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0836202-53
10 등록결정서
Decision to grant
2013.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0024654-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
차례로 적층된 금속패턴, 절연층 및 비정질실리콘층이 구비된 기판을 제공하는 단계와;상기 비정질실리콘층에 교번자기장을 인가하여 결정질실리콘층을 형성하는 단계와;상기 결정질실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계와;상기 액티브층을 가진 기판상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와;상기 소스전극 및 드레인전극을 가진 기판상에 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인전극을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 콘택홀을 채워 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 액정표시소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속패턴을 형성하는 것은상기 기판 상에 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 패터닝하는 것을 포함하는 액정표시소자의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 금속막은 녹는점이 700℃ 이상인 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 금속막은 크롬 및 몰리브덴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
5 5
제2항에 있어서,상기 금속막은 두께가 50Å~1㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계 이전에,상기 액티브층을 가진 기판 상에 게이트절연막을 개재하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계와;상기 게이트전극을 포함한 게이트절연막 상에 층간절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속패턴은 게이트전극으로서 역할하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
8 8
차례로 적층된 비정질실리콘층, 절연층 및 금속패턴이 구비된 기판을 제공하는 단계와;상기 비정질실리콘층에 교번자기장을 인가하여 결정질실리콘층을 형성하는 단계와;상기 결정질실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계와;상기 액티브층을 가진 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와;상기 절연막과 그 아래의 절연층을 패터닝하여, 상기 액티브층을 노출시키는 단계와;상기 절연막 상에 노출된 상기 액티브층과 접촉하는 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와;상기 소스전극 및 드레인전극을 가진 기판상에 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인전극을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 콘택홀을 채워 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 액정표시소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 금속패턴을 형성하는 것은상기 기판 상에 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 패터닝하는 것을 포함하는 액정표시소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 금속막은 녹는점이 700℃ 이상인 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 금속막은 크롬 및 몰리브덴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 금속막은 두께가 50Å~1㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
13 13
제8항에 있어서,상기 금속패턴은 게이트전극으로서 역할하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법
14 14
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