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유기전계 발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015043882
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요약 본 발명은 유기전계 발광소자의 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 방법은 절연 기판 상에 제 1전극을 형성하고, 제 1전극 상의 소정 위치에 절연 패턴을 형성하고, 절연 패턴을 가진 기판 상에 감광막을 형성하고, 감광막에 선택적으로 이온도핑을 실시하여 이온도핑부를 형성하고, 이온도핑부를 갖는 감광막을 노광 및 현상하여 상기 절연패턴 상에 격벽패턴을 형성하고, 절연 패턴 사이의 상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층 상에 제 2전극을 형성하는 것을 포함한다. 따라서, 상기한 구성에 의하면, 본 발명에서는 상기 격벽 패턴들의 측면 프로파일을 역 테이퍼지도록 형성 가능함으로써, 이후의 제 2전극들을 형성하는 공정에서 상기 제 2전극들이 단락되는 현상을 방지할 수 있다. 이로써, 생산비용을 절감하여 생산 수율을 높일 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01)
CPC H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01)
출원번호/일자 1020060057726 (2006.06.26)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1264865-0000 (2013.05.08)
공개번호/일자 10-2007-0122336 (2007.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김유진 대한민국 경기 성남시 분당구
2 윤진모 대한민국 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0454783-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0462146-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0042015-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0510455-87
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0827714-17
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0827716-08
12 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2013-0002702-46
13 등록결정서
Decision to grant
2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0281201-26
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번호 청구항
1 1
절연 기판 상에 제 1전극을 형성하는 단계와;상기 제 1전극 상의 소정 위치에 절연 패턴을 형성하는 단계와;상기 절연 패턴을 가진 기판 상에 감광막을 형성하는 단계와;상기 절연 패턴과 대응하는 상기 감광막의 상부에 이온 도핑을 실시하여 상기 감광막에 이온도핑부를 형성하는 단계와;상기 이온도핑부를 갖는 감광막을 노광 및 현상하여 상기 절연 패턴 상에 상기 이온도핑부와 상기 이온도핑부 하부에 잔류하는 감광막패턴으로 이루어진 이중의 격벽패턴을 형성하는 단계와;상기 절연 패턴 사이의 상기 제 1전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계와;상기 유기 발광층 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 유기전계 발광소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 이온도핑 공정은 상기 이온의 도핑 농도를 1E14∼1E15 도우즈로 진행하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 이온도핑 공정은 상기 이온의 도핑 에너지를 5∼200KeV 범위로 진행하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 감광막은 네거티브 타입 감광막을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 이중의 격벽 패턴을 형성하는 단계는, 상기 이온도핑부를 갖는 감광막을 선택적으로 노광 및 현상하여 상기 이온도핑부 하부에 감광막패턴을 잔류시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 현상 공정은 상기 이온도핑부 하부에 잔류된 감광막패턴을 과도 현상하는 것을 더 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 노광 및 현상한 후에, 상기 이온도핑부 하부에 잔류된 감광막패턴을 에싱하여 제거하는 것을 더 포함하는 유기전계 발광소자의 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 이중의 격벽 패턴은 역 테이퍼진 형상을 갖도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.