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패턴형성방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015043912
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요약 본 발명은 기판의 표면처리를통하여 선택적으로 자기배열 패터닝이 가능하도록 하여 공정을 단순화시키는 패턴형성방법과 그 장치에 관한 것으로, 패턴형성장치는 기판 상에 다수의 제1패턴을 직접적으로 묘사하는 표면처리부; 상기 다수의 제1패턴의 용매를 기화시키는 열처리부; 상기 다수의 제1패턴과 반발하는 특성을 가지는 액상재료를 분사시켜 상기 다수의 제1패턴 사이에 다수의 제2패턴을 형성하는 액상재료 분사부를 포함하고, 패턴형성방법은, 기판 상에 다수의 제1패턴을 형성하는 단계; 상기 다수의 제1패턴사이의 상기 기판상에 상기 다수의 제1패턴과 반발하는 특성을 가진 다수의 제2패턴을 형성하는 단계를 포함한다.잉크젯, 프로그램 펜 어셈블리, 소수성, 친수성
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G02F 1/1335 (2006.01)
CPC H05B 33/14(2013.01) H05B 33/14(2013.01) H05B 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020060056900 (2006.06.23)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1246720-0000 (2013.03.18)
공개번호/일자 10-2007-0121996 (2007.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미경 대한민국 경기 안양시 동안구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0445823-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0443731-42
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0042012-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0496898-69
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0881144-47
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0881145-93
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732028-45
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0080386-03
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0080383-66
15 등록결정서
Decision to grant
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0141661-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 다수의 제1패턴을 직접적으로 묘사하는 표면처리부;상기 다수의 제1패턴의 용매를 기화시키는 열처리부;상기 다수의 제1패턴과 반발하는 특성을 가지는 액상재료를 분사시켜 상기 다수의 제1패턴 사이에 다수의 제2패턴을 형성하는 액상재료 분사부;를 포함하며, 상기 열처리부는, 상기 기판 상부에 설치되는 열판과, 상기 기판의 하부에 설치되는 냉판을 포함하고,상기 열처리부는, 상기 열판을 이용하여 상기 기판 상부에서 상기 다수의 제1패턴을 가열하여 상기 다수의 제1패턴의 용매를 기화시키고, 상기 냉판을 이용하여 상기 기판 하부에서 상기 기판을 냉각하여 상기 기판의 열팽창을 방지하는 것을 특징으로 하는 패턴형성장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 표면처리부, 상기 열처리부, 그리고 상기 액상재료 분사부로 공정단계에 따라 상기 기판을 순차적으로 이동시키는 이송장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성장치
3 3
제1항에 있어서,상기 표면처리부에는 상기 다수의 제1패턴을 형성하는 물질을 다수의 펜에서 상기 기판과 인접한 상태에서 압전방식으로 분사시키는 것을 특징으로 하는 패턴형성장치
4 4
제1항에 있어서,상기 열판은 열선 또는 램프로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성장치
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 액상재료 분사부는 분사헤드와 상기 기판 상에 액상방울을 착탄시키는 상기 분사헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성장치
7 7
기판 상에 다수의 제1패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상의 상기 다수의 제 1 패턴을 기화시키는 단계;상기 다수의 제1패턴 사이의 상기 기판상에 상기 다수의 제1패턴과 반발하는 특성을 가진 다수의 제2패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 1 패턴을 기화시키는 단계는, 상기 다수의 제1패턴의 용매를 기화시키기 위하여 상기 기판의 상부에 설치된 열판을 이용하여 상기 기판의 상부에서 상기 다수의 제1패턴을 가열하는 단계와,상기 기판의 열팽창을 방지하기 위하여 상기 기판의 하부에 설치된 냉판을 이용하여 상기 기판의 하부에서 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 다수의 제1패턴은 소수성 물질로 형성되고, 상기 다수의 제2패턴은 친수성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 다수의 제1패턴은 시레인(silane)계열, 티올(thiol)계열, 불소계열의 고분자 중 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 다수의 제1패턴의 너비는 상기 다수의 제2패턴의 너비보다 큰 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 다수의 제2패턴은 유기물, 졸겔물질, 나노물질 중 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.