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제1 메인 패턴들을 포함하는 비중첩부;상기 비중첩부의 일측과 인접하고, 제2 메인 패턴들을 포함한 제1 패턴 영역과 상기 제2 메인 패턴들을 포함하지 않은 제1 비 패턴 영역을 포함하는 제1 중첩부; 및 상기 비중첩부의 타측과 인접하고, 제3 메인 패턴들을 포함한 제2 패턴 영역과 상기 제2 메인 패턴들을 포함하지 않은 제2 비 패턴 영역을 포함하는 제2 중첩부;을 포함하고,상기 비중첩부와 상기 제1 중첩부을 구분하는 경계를 제1 경계로 정의하고,상기 비중첩부와 상기 제2 중첩부를 구분하는 경계를 제2 경계로 정의하고,상기 제1 메인 패턴들 각각은 등 간격을 가지는 복수개의 제1 서브 패턴들을 포함하고,상기 제2 메인 패턴들 각각은 서로 이격된 복수개의 제2 서브 패턴들을 포함하고,상기 제3 메인 패턴들 각각은 서로 이격된 복수개의 제3 서브 패턴들을 포함하고,상기 제2 서브 패턴들은 상기 제1 경계와의 거리가 멀수록 서로의 간격이 감소되고,상기 제3 서브 패턴들은 상기 제2 경계와의 거리가 멀수록 서로의 간격이 감소되며,상기 제1 패턴 영역은 상기 제2 비 패턴 영역에 대응되고, 상기 제2 패턴 영역은 상기 제1 비 패턴 영역에 대응되는 노광 마스크
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제1 항에 있어서,상기 제1 중첩부에 배치된 상기 제2 메인 패턴들의 수는 상기 제1 경계로부터 거리가 멀어질수록 감소하는 노광 마스크
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제1 항에 있어서,상기 제2 중첩부에 배치된 상기 제3 메인 패턴들의 수는 상기 제2 경계로부터 거리가 멀어질수록 감소하는 노광 마스크
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제1 메인 패턴들을 포함하는 비중첩부;상기 비중첩부의 일측과 인접하고, 제2 메인 패턴들을 포함한 제1 패턴 영역과 상기 제2 메인 패턴들을 포함하지 않은 제1 비 패턴 영역을 포함하는 제1 중첩부; 및 상기 비중첩부의 타측과 인접하고, 제3 메인 패턴들을 포함한 제2 패턴 영역과 상기 제2 메인 패턴들을 포함하지 않은 제2 비 패턴 영역을 포함하는 제2 중첩부;를 포함하는 노광 마스크를 이용하여 기판에 형성된 상기 비중첩부에 대응되는 포토레지스트의 비 중첩 영역 및 상기 제1 중첩부에 대응되는 포토레지스트의 중첩 영역의 일부에 1차 노광을 수행하는 단계;상기 노광 마스크를 이용하여 상기 기판에 형성된 상기 노광 마스크의 제2 중첩 영역에 대응되고, 상기 포토레지스트의 중첩 영역 중 노광되지 않은 나머지 일부 영역에 2차 노광을 수행하는 단계를 포함하고,상기 비중첩부와 상기 제1 중첩부을 구분하는 경계를 제1 경계로 정의하고,상기 비중첩부와 상기 제2 중첩부를 구분하는 경계를 제2 경계로 정의하고,상기 제1 메인 패턴들 각각은 등 간격을 가지는 복수개의 제1 서브 패턴들을 포함하고,상기 제2 메인 패턴들 각각은 서로 이격된 복수개의 제2 서브 패턴들을 포함하고,상기 제3 메인 패턴들 각각은 서로 이격된 복수개의 제3 서브 패턴들을 포함하고,상기 제2 서브 패턴들은 상기 제1 경계와의 거리가 멀수록 서로의 간격이 감소되고,상기 제3 서브 패턴들은 상기 제2 경계와의 거리가 멀수록 서로의 간격이 감소되며,상기 제1 패턴 영역은 상기 제2 비 패턴 영역에 대응되고, 상기 제2 패턴 영역은 상기 제1 비 패턴 영역에 대응되는 중첩 노광 방법
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