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다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015043936
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 다결정 실리콘층의 표면 거칠기를 향상시키기 위한 것으로, 기판 상에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계, 버퍼층 위에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 비정질 실리콘층을 일차적으로 결정화시켜 제1 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 제1 다결정 실리콘층 표면에 자연적으로 형성된 자연발생 산화막을 제거하는 단계, 제1 다결정 실리콘층에 열처리를 가하여 융해시키는 단계, 제1 다결정 실리콘층을 냉각하여 다시 결정화하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 이용하요 제조된 박막 트랜지스터를 제공한다.다결정 실리콘, 엑시머 레이저 어닐링(ELA), 표면 거칠기
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/477 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01) H01L 21/02675(2013.01)
출원번호/일자 1020060058987 (2006.06.28)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1254744-0000 (2013.04.09)
공개번호/일자 10-2008-0001007 (2008.01.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조덕용 대한민국 경상남도 김해시
2 성경훈 대한민국 경상남도 함안군
3 김운중 대한민국 경북 칠곡군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0465185-65
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0709567-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0470727-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037990-81
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0429045-92
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0721152-05
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0721150-14
13 등록결정서
Decision to grant
2013.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0038100-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층을 일차적으로 결정화시켜 제1 다결정 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 제1 다결정 실리콘층 표면에 자연적으로 형성된 자연발생 산화막을 제거하는 단계;상기 제1 다결정 실리콘층에 열처리를 가하여 융해시키는 단계;상기 제1 다결정 실리콘층을 냉각하여 다시 결정화하는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 결정화 방법은 ELA(Excimer Laser Annealing)를 이용한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 자연발생 산화막을 제거하는 단계는, 상기 제1 다결정 실리콘층 표면에 HF 용액을 이용한 식각 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 다결정 실리콘층을 융해시키는 단계에서는, 열처리시 단계적으로 에너지 밀도를 증가시키면서 융해 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 에너지는 상기 제1 다결정 실리콘의 결정화시 형성된 그레인의 표면을 융해할 수 있는 에너지 밀도에서부터 상기 그레인이 파괴되지 않는 에너지 밀도까지 증가시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조 방법
6 6
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