맞춤기술찾기

이전대상기술

신규한 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물, 이를포함하는 공중합체 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015043994
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리인산(polyphosphoric acid, PPA) 중에서 중합가능하고 산화에 대하여 안정한 단량체인 신규한 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물 및 그 제조방법, 그 화합물로부터 제조되는 공중합체 및 그 제조방법, 그 공중합체를 이용하여 제조된 필름 및 그 제조방법, 및 그 필름을 양성자 선택성 막으로서 포함하는 연료 전지에 관한 것이다. 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠, 공중합체, 필름, 양성자 선택성 막, 연료 전지, 제조방법
Int. CL C07D 403/10 (2006.01) C07D 403/14 (2006.01) C07D 401/10 (2006.01) C07D 401/14 (2006.01)
CPC C07D 401/10(2013.01) C07D 401/10(2013.01) C07D 401/10(2013.01) C07D 401/10(2013.01) C07D 401/10(2013.01) C07D 401/10(2013.01) C07D 401/10(2013.01)
출원번호/일자 1020060066583 (2006.07.14)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0897144-0000 (2009.05.04)
공개번호/일자 10-2008-0007039 (2008.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20090514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.16)
심사청구항수 31

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 디억 헨켄스마이어 독일 대전시 유성구
2 원정혜 대한민국 서울 송파구
3 박용수 대한민국 경기 부천시 원미구
4 신정규 대한민국 대전 유성구
5 이봉근 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0505944-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
3 대리인변경신고서
Agent change Notification
2007.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0174562-62
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0516478-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0588046-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0040861-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0040860-89
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0038464-19
9 등록결정서
Decision to grant
2009.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0160787-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기의 화학식 1로 표시되는 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물: [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R은 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 5 내지 30의 아릴기를 나타내고, R’는 각각 독립적으로 할로겐; 히드록시; 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 5 내지 30의 아릴기를 나타내며, p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수, q는 0 내지 4의 정수, 그리고 r은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수를 나타낸다
2 2
제1항에 있어서, R은 수소이고, p, q 및 r은 모두 0인 것을 특징으로 하는 화합물
3 3
제1항에 있어서, 두개의 카르복시페닐퀴녹살리닐 단위는 중심 페닐렌기에 있어서 서로 파라 위치인 것을 특징으로 하는 화합물
4 4
제1항에 있어서, 카르복시기는 페닐퀴녹살리닐 단위의 6번 또는 7번 탄소의 위치에 치환되는 것을 특징으로 하는 화합물
5 5
제1항에 있어서, 하기 화학식 1a 또는 화학식 1b로 표시되는 화합물: [화학식 1a] [화학식 1b]
6 6
하기 화학식 2의 화합물과 하기 화학식 3의 화합물을 축합반응시켜 제1항에 따른 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물을 제조하는 방법: [화학식 2] [화학식 3] 상기에서, R, R’, p, q 및 r은 제1항에서 정의된 바와 같다
7 7
제6항에 있어서, 축합 반응은 용매 없이 수행되거나, 또는 방향족 용매, 알코올, 알칸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 용매 중에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제7항에 있어서, 용매는 m-크레졸인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제6항에 있어서, 축합 반응은 20 내지 250℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제1항에 따른 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물을, 적어도 2개의 인접한 아미노기들을 갖는 방향족 화합물을 포함하는 공단량체와 축합 공중합하여 제조되는 공중합체
11 11
제10항에 있어서, 적어도 2개의 인접한 아미노기들을 갖는 방향족 화합물은 3,4-디아미노벤조산, 3,3’-디아미노벤지딘, 1,2,4,5-테트라아미노벤젠 및 3,3’,4,4’-테트라아미노 디페닐 에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 공중합체
12 12
제10항에 있어서, 페닐퀴녹살린 부분과 적어도 2개의 인접한 아미노기들을 갖는 방향족 화합물을 포함하는 공단량체 부분의 몰비는 (페닐퀴녹살린 부분):(적어도 2개의 인접한 아미노기들을 갖는 방향족 화합물을 포함하는 공단량체 부분)이 1:0
13 13
제10항에 있어서, 하기 화학식 4a로 나타내어지거나, 또는 하기 화학식 4b 내지 4d로 표시되는 페닐퀴녹살린-벤즈이미다졸 반복 단위 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 공중합체: [화학식 4a] [화학식 4b] [화학식 4c] [화학식 4d]
14 14
제10항에 있어서, 공단량체는 적어도 2개의 카르복시산기들을 갖는 방향족 화합물을 추가로 포함하여 (페닐퀴녹살린-벤즈이미다졸) 및 (페닐-벤즈이미다졸)의 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 공중합체
15 15
제14항에 있어서, 적어도 2개의 카르복시산기들을 갖는 방향족 화합물은 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환 또는 비치환된 테레프탈산, 이소프탈산 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 공중합체
16 16
제14항에 있어서, (페닐퀴녹살린-벤즈이미다졸) 부분과 (페닐-벤즈이미다졸) 부분의 몰비는 (페닐퀴녹살린-벤즈이미다졸):(페닐-벤즈이미다졸)이 1:0
17 17
제14항에 있어서, 하기 화학식 4b 내지 4d로 표시되는 (페닐퀴녹살린-벤즈이미다졸) 반복 단위 중 하나 이상 및 하기 화학식 5a 내지 5f로 표시되는 (페닐-벤즈이미다졸) 반복 단위 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 공중합체: [화학식 4b] [화학식 4c] [화학식 4d] [화학식 5a] [화학식 5b] [화학식 5c] [화학식 5d] [화학식 5e] [화학식 5f]
18 18
제1항에 따른 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물과 적어도 2개의 인접한 아미노기들을 갖는 방향족 화합물을 포함하는 공단량체를 축합 공중합하는 것을 특징으로 하는 공중합체의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 공단량체에는 적어도 2개의 카르복시산기들을 갖는 방향족 화합물이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 방법
20 20
제18항에 있어서, 축합 공중합 반응은 가수분해하여 산을 형성하는 용매 중에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
21 21
제20항에 있어서, 가수분해하여 산을 형성하는 용매는 폴리인산, 포스포러스펜톡사이드/메탄설폰산, 포스폰산 에스테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
22 22
제18항에 있어서, 축합 공중합 반응은 100 내지 400℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
23 23
제10항에 따른 공중합체를 포함하는 필름
24 24
제23항에 있어서, 산-도핑된 것을 특징으로 하는 필름
25 25
제24항에 있어서, 공중합 반응에 사용된 용매 화합물을 가수분해하여 산-도핑된 것을 특징으로 하는 필름
26 26
(a) 하기 화학식 1의 비스(카르복시페닐퀴녹살리닐)벤젠 화합물과 적어도 2개의 인접한 아미노기들을 갖는 방향족 화합물을 포함하는 공단량체를 축합 공중합하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계의 결과 얻어진 공중합체 용액을 캐스팅하는 단계를 포함하는 공중합체 필름의 제조 방법: [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R은 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 5 내지 30의 아릴기를 나타내고, R’는 각각 독립적으로 할로겐; 히드록시; 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬, 할로겐, 니트로, 술폰산, 트리플루오로메틸 또는 포스포늄 기로 치환되거나 비치환되는 탄소수 5 내지 30의 아릴기를 나타내며, p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수, q는 0 내지 4의 정수, 그리고 r은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수를 나타낸다
27 27
제26항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 필름의 캐스팅 이전에, 상기 (a) 단계의 결과 얻어진 공중합체 용액을 폴리인산, 포스포러스펜톡사이드/메탄설폰산, 포스폰산 에스테르, 인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 용매로 희석하는 것을 특징으로 하는 방법
28 28
제26항에 있어서, 상기 (b) 단계 이후에, 상기 (b) 단계의 결과 얻어진 필름에 산을 도핑하는 단계 (c)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
29 29
제28항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 산의 도핑은 상기 (b) 단계의 결과 얻어진 필름에 함유된 용매를 가수분해하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
30 30
제24항에 따른 산이 도핑된 필름을 양성자 선택성 막으로서 포함하는 연료전지
31 31
제30항에 있어서, 산은 인산인 것을 특징으로 하는 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.