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적어도 하나 이상의 태양전지층이 적층되고, 상기 태양전지층 내에 p층과 i층 사이에 버퍼층을 포함하고,상기 버퍼층은 Si:H의 산화물 및 Si:H의 불화물 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 p형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층의 결정구조는 비정질, 미결정, 다결정의 단일 구조 또는 둘 이상의 복합구조를 지니는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 태양전지층은 비정질 Si:H, 미결정 Si:H, 및 다결정 Si:H 중 선택되는 1종 이상의 성분으로 제작되는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 태양전지층은 하부 글라스 기판, 하부 투명전도층, 복수개의 pin 반도체층, 투명전도층 및 후면전극층이 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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제 6항에 있어서, 상기 복수개의 pin반도체층 사이에는 투명전극층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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제 6항에 있어서, 상기 투명전도층은 태양전지의 광전 변환효율을 증가시키기 위하여 표면에 요철이 존재하는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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제 6항에 있어서, 상기 투명전도층은 SnO2, ZnO, ITO 등의 금속 산화물이 주성분이며, Al, F 등의 불순물이 미량 혼합된 물질로 제작되는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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10
제 6항에 있어서, 상기 후면전극층은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 실리콘 박막형 태양전지
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