| 1 |
1
화소전원단자와 접지단자 사이에 직렬 접속된 제1,5트랜지스터 및 유기발광다이오드와;게이트가 스캔단자에 접속되고, 드레인 및 소스가 상기 제1트랜지스터의 게이트 및 드레인에 각기 접속된 제2트랜지스터와;상기 제2트랜지스터의 드레인에 일 전극이 접속된 콘덴서와;게이트가 상기 스캔단자에 접속되고, 소스가 상기 콘덴서의 타 전극에 접속되며, 드레인이 데이터 전압 단자와 접속되어 R,G,B 데이터전압을 상기 제1트랜지스터의 게이트에 전달하기 위한 제3트랜지스터와;게이트가 상기 제5트랜지스터의 게이트에 접속되고, 소스가 기준전압단에 접속되며, 드레인이 상기 콘덴서의 타 전극에 접속되어 기준전압을 상기 콘덴서를 통해 상기 제1트랜지스터의 게이트에 전달하기 위한 제4트랜지스터로 구성된 유기발광다이오드 구동회로에 있어서,제1인에이블신호에 의해 턴온되어 게이트오프신호를 스캔단자에 전달하는 제6트랜지스터와;제1인에이블신호에 의해 턴온되어 상기 R,G,B 데이터전압을 상기 제3트랜지스터의 소스에 전달하는 제7트랜지스터와;제2인에이블신호에 의해 턴온되어 발광제어신호를 상기 제4,5트랜지스터의 게이트에 전달하는 제8트랜지스터를 추가하여 트랜지스터의 에이징과 유기발광다이오드의 에이징을 수행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 제1,2인에이블신호 및 발광제어신호를 부극성 전압으로 공급하고, 화소전원을 0V로 공급하고, 게이트오프신호를 정극성 전압으로 공급하고, 접지단자전압을 교류전압으로 공급하여 제2트랜지스터에 대한 에이징이 수행되도록 구성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 에이징 수행시간은 가변적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 제1,2인에이블신호를 게이트 개방전압(부극성 전압)으로 공급하고, 게이트오프신호,발광제어신호를 -20V 이상의 부극성 전압으로 공급하며, 화소전원과 기준전압을 교류전압으로 공급하여 상기 유기발광다이오드에 리버스 에이징이 수행되도록 구성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 유기발광다이오드에 리버스 에이징은 유기발광다이오드(OLED)에서의 유기물과 애노드와의 물리적, 화학적 접합 특성을 개선하기 위한 에이징인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 제2트랜지스터의 게이트에 공급되는 스캔신호를 일정 시간 동안 0V로 공급하다가 15V로 상승시키고, 상기 기준전압은 상기 스캔신호보다 조금 더 오랫동안 0V로 공급하다가 15V로 상승시키고, 접지단자전압은 상기 기준전압보다 조금 더 오랫동안 0V로 공급하다가 15V로 상승시켜 누설전류 에이징이 수행되도록 구성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 누설전류 에이징이 수행될 때, 화소전원, R,G,B 데이터전압, 발광제어신호는 0V로 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제1-8트랜지스터를 완전히 온시키고, 유기발광다이오드가 1500nit 밝기의 빛을 발하도록 화소전원 및 데이터전압을 공급하여 상기 유기발광다이오드 루미넌스 에이징이 수행되도록 구성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 패널의 에이징 회로
|
