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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 전면에 유전율 6~10이고 고분자 기질에 나노 입자가 분산된 구조를 가지는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 양측에 소스/드레인 전극을 각각 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 유전율 3이하이고 고분자 기질에 나노 입자가 분산된 구조를 가지는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막 상에 상기 드레인 전극과 콘택되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 폴리실록산계 고분자 기질에 TiO2의 나노입자가 분산된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 폴리실록산계 고분자 기질에 35mol% 이상의 TiO2를 혼합시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 입자의 함량 또는 종류에 따라서 상기 게이트 절연막 및 상기 보호막의 유전율이 달라지는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 기질은 폴리포스파젠(Polyphosphazene), 폴리실록산(Polysiloxane), 폴리실란(Polysilane)의 무기 고분자, 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에스테르(Polyester)의 유기 고분자 및 유/무기 하이브리드(Hybrid) 고분자로 구성되는 그룹 중에서 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 고분자 기질은 단독 고분자이거나 또는 공중합 고분자(Copolymer)인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 입자는 바륨 스트론티움 티타네이트(Barium strontium titanate), 바륨 지르코네이트 티타네이트(Barium zirconate titanate), 리드 지르코네이트 티타네이트(Lead zirconate titanate), 리드 란타늄 티타네이트(Lead lanthanum titanate), 스트론티움 티타네이트(Strontium titanate), 바륨 티나네이트(Barium titanate), 바륨 마그네슘 플루오리드(Barium magnesium fluoride), 비스무스 티타네이트(Bismuth titanate), 스트론티움 비스무스 탄탈레이트(Strontium bismuth tantalate), 스트론티움 비스무스 탄탈레이트 니오베이트(Strontium bismuth tanalate niobate) 및 금속 산화계 물질로 이루어지는 그룹 중에서 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 금속 산화계 물질은 Al2O3, MgO, CaO, ZrSiO4, HfSiO4, Y2O3, ZrO2, HfO2, SrO, La2O3, Ta2O5, BaO, TiO2으로 구성되는 그룹 중에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막 또는 상기 보호막은 폴리실록산계 고분자 기질에 TiO2의 나노입자가 분산된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 폴리실록산계 고분자 기질에 35mol% 이상의 TiO2를 혼합시켜 형성하고, 상기 보호막은 10mol% 이하의 TiO2를 혼합시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서, 게이트 배선을 동시에 형성하고, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 배선에 수직교차하는 데이터 배선을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막 및 상기 보호막은 코팅법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 전면에 고분자 기질에 유전율이 9이상이고 밴드갭이 3이상인 제 1 나노입자를 분산시킨 구조를 가지는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 양측에 소스/드레인 전극을 각각 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 고분자 기질에 제 2 나노 입자가 분산된 구조를 가지는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막 상에 상기 드레인 전극과 콘택되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 제 1 나노입자는 Al2O3, MgO, CaO, ZrSiO4, HfSiO4, Y2O3, ZrO2, HfO2, SrO, La2O3, Ta2O5, BaO, TiO2으로 구성되는 그룹 중에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 제 2 나노 입자는 바륨 스트론티움 티타네이트(Barium strontium titanate), 바륨 지르코네이트 티타네이트(Barium zirconate titanate), 리드 지르코네이트 티타네이트(Lead zirconate titanate), 리드 란타늄 티타네이트(Lead lanthanum titanate), 스트론티움 티타네이트(Strontium titanate), 바륨 티나네이트(Barium titanate), 바륨 마그네슘 플루오리드(Barium magnesium fluoride), 비스무스 티타네이트(Bismuth titanate), 스트론티움 비스무스 탄탈레이트(Strontium bismuth tantalate), 스트론티움 비스무스 탄탈레이트 니오베이트(Strontium bismuth tanalate niobate) 및 금속 산화계 물질로 이루어지는 그룹 중에서 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 17 항에 있어서, 상기 금속 산화계 물질은 Al2O3, MgO, CaO, ZrSiO4, HfSiO4, Y2O3, ZrO2, HfO2, SrO, La2O3, Ta2O5, BaO, TiO2으로 구성되는 그룹 중에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 제 1 ,제 2 나노 입자의 함량 또는 종류에 따라서 상기 게이트 절연막 및 상기 보호막의 유전율이 달라지는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 고분자 기질은 폴리포스파젠(Polyphosphazene), 폴리실록산(Polysiloxane), 폴리실란(Polysilane)의 무기 고분자, 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에스테르(Polyester)의 유기 고분자 및 유/무기 하이브리드(Hybrid) 고분자로 구성되는 그룹 중에서 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 20 항에 있어서, 상기 고분자 기질은 단독 고분자이거나 또는 공중합 고분자(Copolymer)인 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서, 게이트 배선을 동시에 형성하고, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 배선에 수직교차하는 데이터 배선을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 게이트 절연막 및 상기 보호막은 코팅법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법
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