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Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말의 합성방법 및 이에 의하여제조된 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말

  • 기술번호 : KST2015044324
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, Ⅲ족 원소에 Li3N과 Bi, Sb 및 As 중에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 첨가하여 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 합성하는 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 제공한다. 본 발명에 따른 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 합성하는 방법을 이용하여 낮은 압력하에서 고수율로 다량의 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 공정상 매우 쉽게 얻을 수 있으며, 결정성(Crystal Quality)이 높은 Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말을 얻을 수 있다. Ⅲ족 원소 질화물 결정체 분말, GaN 결정체 분말, 계면활성제
Int. CL C01B 21/00 (2006.01) C01B 21/06 (2006.01) C01B 21/064 (2006.01) C01B 21/072 (2006.01)
CPC C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01)
출원번호/일자 1020060071457 (2006.07.28)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0894959-0000 (2009.04.17)
공개번호/일자 10-2008-0010844 (2008.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20090427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태훈 대한민국 대전 유성구
2 고정민 대한민국 대전 유성구
3 박은용 대한민국 충북 청주시 상당구
4 권태현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0546542-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0554362-40
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2008-0026695-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0570859-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0017427-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0017425-02
9 등록결정서
Decision to grant
2009.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0149639-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
갈륨(Ga)에 상기 갈륨(Ga) 대비 10 내지 25 mol%의 Li3N과 Bi, Sb 및 As 중에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 첨가하는 것인 질화갈륨 결정체 분말의 합성방법으로서, 상기 질화갈륨 결정체 분말의 평균 입경은 1 내지 300 ㎛인 것인 질화갈륨 결정체 분말의 합성방법
2 2
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3 3
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4 4
청구항 1에 있어서, 상기 Bi, Sb 및 As 중에서 Bi를 사용하는 것인 질화갈륨 결정체 분말의 합성방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 Bi, Sb 및 As 중에서 선택되는 1종 이상의 첨가제는 갈륨(Ga) 대비 0 초과 50 mol% 이하인 것인 질화갈륨 결정체 분말의 합성방법
7 7
청구항 1에 있어서, 반응 조건이 온도 700 내지 850 ℃, 압력 30 내지 100 atm인 것인 질화갈륨 결정체 분말의 합성방법
8 8
청구항 1, 청구항 4, 청구항 6 및 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의하여 합성되고, 평균 입경이 1 내지 300 ㎛인 질화갈륨 결정체 분말
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.