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발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015044398
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요약 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히 발광 다이오드에 있어서, 완전채움율(Full Fill-Factor)을 갖는 마이크로렌즈를 채용하여 발광 다이오드의 광 출사 효율을 높인 발명이다. 이를 위한 본 발명은 기판의 일측에 형성된 발광 다이오드; 및 상기 기판의 타측에 형성되되, 상기 기판의 표면을 노출시키지 않도록 완전채움율(Full Fill-Factor)을 갖는 곡면요철 형상의 마이크로렌즈를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명은 기판의 일측에 발광 다이오드를 형성하는 단계; 상기 기판의 타측에 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 형성하는 단계; 및 형성될 마이크로렌즈와 반대의 형상을 갖는 형태틀을 이용하여, 상기 기판의 표면을 노출시키지 않도록 완전채움율(Full Fill-Factor)을 갖는 곡면요철의 마이크로렌즈를 상기 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지에 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.발광다이오드, 마이크로렌즈, 필 팩터, 금형
Int. CL H01L 33/00 (2014.01) H01L 33/48 (2014.01)
CPC H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01)
출원번호/일자 1020060070461 (2006.07.26)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1257872-0000 (2013.04.12)
공개번호/일자 10-2008-0010225 (2008.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영주 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0539270-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0462159-25
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0514712-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0827737-56
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0827739-47
9 등록결정서
Decision to grant
2013.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0125831-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일측에 형성된 발광 다이오드; 및상기 기판의 타측에 형성되고, 상기 기판의 타측 표면을 노출시키지 않도록 연속되게 배열된 완전채움율(Full Fill-Factor)을 갖는 곡면요철 형상의 마이크로렌즈들을 포함하며, 각 마이크로렌즈 사이의 공극부분에서는 상기 기판의 타측의 평탄면이 노출되지 않는 것을 특징으로 하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는,광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는,육각 최밀집 형태, 직교형태, 마름모 형태 중 어느 하나의 이차원 배열을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자
5 5
제2항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 투명한 것을 특징으로 하는 발광소자
6 6
제2항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는,상기 발광다이오드의 방사 파장을 특정 파장으로 천이시키는 인광물질을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자
7 7
기판의 일측에 발광 다이오드를 형성하는 단계; 상기 기판의 타측에 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 형성하는 단계; 및형성될 마이크로렌즈와 반대의 형상을 갖는 형태틀을 이용하여, 상기 기판의 표면을 노출시키지 않도록 연속되게 배열된 완전채움율(Full Fill-Factor)을 갖는 곡면요철의 마이크로렌즈들을 상기 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지에 형성하는 단계를 포함하며, 각 마이크로렌즈 사이의 공극부분에서는 상기 기판의 타측의 평탄면이 노출되지 않는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는,육각 최밀집 형태, 직교형태, 마름모 형태 중 어느 하나의 이차원 배열을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 수지를 형성하는 단계는,상기 발광다이오드의 방사 파장을 특정 파장으로 천이시키는 인광물질을 더 포함시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 발광소자는 플립 칩 방식이 적용되는 것을 특징으로 하는 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.