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입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치

  • 기술번호 : KST2015044470
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 입자형태의 다결정 실리콘을 제조함에 있어서, 본 발명은 반응기 셸 내부에 수직하게 설치되는 반응관 내부에서 유동가스를 공급하기 위한 유동가스공급부 위에 형성되는 실리콘 입자들 층 내부로 실리콘 석출에 필요한 반응가스를 공급하기 위해 상기 실리콘 입자들 층 내부에서 수직하게 설치되는 반응가스공급부의 반응가스 출구가 상기 유동가스공급부의 유동가스 출구보다 높게 위치함으로써, 상기 반응가스 출구의 높이를 기준으로 상측과 하측에 해당하는 상기 반응관의 내부영역이 반응영역과 가열영역으로 각각 구분되는 유동층 반응기를 이용하되; 상기 가열영역에서 상기 반응가스공급부와 상기 반응관 내벽면 사이에 설치되는 내부가열기의 전기저항가열에 의하여 상기 유동가스와 상기 실리콘 입자들을 가열하며; 상기 반응영역과 상기 가열영역 사이에서 실리콘 입자들이 지속적인 유동상태에서 서로 혼합될 수 있게 상기 유동가스를 공급함으로써 상기 반응영역에서의 반응온도가 사전에 정해지는 반응온도 범위 내에서 유지될 수 있게 하며; 상기 반응가스공급부에 의하여 상기 반응가스를 공급하여 상기 반응영역에서 상기 실리콘 석출반응에 의해 크기가 증가된 실리콘 입자들을 제조하고; 상기 반응영역을 통과하는 유동가스, 미반응 반응가스, 반응생성물 가스를 포함하는 배출가스를 가스배출부에 의하여 상기 유동층 반응기의 외부로 배출하며; 상기 실리콘 입자들의 일부를 입자배출부에 의하여 실리콘 제품입자로서 상기 유동층 반응기의 외부로 배출하는 조작을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조방법과 이에 필요한 유동층 반응기의 구성방법을 제공한다.이와 같은 본 발명은 유동층 반응기의 기계적 안정성을 훼손함이 없이 입자형태의 다결정 실리콘의 제조에 요구되는 열량을 충분히 공급하여 실리콘 석출 운전조건을 안정적으로 유지함으로써 유동층 반응기의 생산성을 최대한 증가시킬 수 있는 방법과 수단을 제공해 준다.다결정 실리콘, 실리콘 석출, 유동층 반응기, 입자, 가열
Int. CL C30B 29/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060075897 (2006.08.10)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0783667-0000 (2007.12.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.10)
심사청구항수 56

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희영 대한민국 대전 유성구
2 윤경구 대한민국 대전 유성구
3 박용기 대한민국 대전 유성구
4 최원춘 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이에너지 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0573878-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0021715-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0299584-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0543679-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0543678-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0579516-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0785333-88
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0785334-23
10 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2007.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0785410-06
11 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0642133-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응기 셸 내부에 수직하게 설치되는 반응관 내부에서 유동가스를 공급하기 위한 유동가스공급부 위에 형성되는 실리콘 입자들 층 내부로 실리콘 석출에 필요한 반응가스를 공급하기 위해 상기 실리콘 입자들 층 내부에서 수직하게 설치되는 반응가스공급부의 반응가스 출구가 상기 유동가스공급부의 유동가스 출구보다 높게 위치함으로써, 상기 반응가스 출구의 높이를 기준으로 상측과 하측에 해당하는 상기 반응관의 내부영역이 반응영역과 가열영역으로 각각 구분되는 유동층 반응기를 이용하되;상기 가열영역에서 상기 반응가스공급부와 상기 반응관 내벽면 사이에 설치되는 내부가열기의 전기저항가열에 의하여 상기 유동가스와 상기 실리콘 입자들을 가열하며; 상기 반응영역과 상기 가열영역 사이에서 실리콘 입자들이 지속적인 유동상태에서 서로 혼합될 수 있게 상기 유동가스를 공급함으로써 상기 반응영역에서의 반응온도가 사전에 정해지는 반응온도 범위 내에서 유지될 수 있게 하며; 상기 반응가스공급부에 의하여 상기 반응가스를 공급하여 상기 반응영역에서 상기 실리콘 석출반응에 의해 크기가 증가된 실리콘 입자들을 제조하고;상기 반응영역을 통과하는 유동가스, 미반응 반응가스, 반응생성물 가스를 포함하는 배출가스를 가스배출부에 의하여 상기 유동층 반응기의 외부로 배출하며;상기 실리콘 입자들의 일부를 입자배출부에 의하여 실리콘 제품입자로서 상기 유동층 반응기의 외부로 배출하는 조작을 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 가열영역의 공간 중에서 상기 반응관 내벽면, 상기 유동가스공급부, 상기 반응가스공급부 및 상기 내부가열기 사이에 이루어지는 공간의 전체 또는 일부에 상기 유동가스의 흐름에 의하여 유동되지 않는 충진물로 충진층을 형성시켜 상기 유동가스가 상기 충진층을 통과하면서 가열되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서, 실리콘 제품입자가 상기 충진물 사이에 이루어지는 공간에 체류하거나 이동한 다음 입자배출부를 통해 유동층 반응기 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 반응온도 범위가 600 ~ 1,200 ℃ 범위 내에 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 내부가열기가 하나의 또는 다수의 가열기 단위로 이루어지고, 상기 가열기 단위는 전기저항가열이 발생하는 저항체를 포함하며, 상기 저항체에 의하여 실리콘 입자들이 오염되는 것을 방지하기 위하여 상기 저항체를 보호관 내부에 설치하거나, 상기 저항체의 표면에 분리기능성분으로 이루어지는 하나의 또는 다수의 분리층을 형성시키거나, 또는 상기의 분리층이 형성된 상기 저항체의 외부에 보호관을 설치하여 상기 가열기 단위를 구성하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 내부가열기에 추가하여 내부영역에 공급되는 마이크로파를 이용하여 내부영역을 가열하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
7 7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 유동가스는 수소, 질소, 알곤, 헬륨, 사염화실란, 삼염화실란, 이염화실란, 염화수소 가운데에서 선택된 하나 또는 두 가지 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정의 실리콘 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 단위시간당 가열영역에 공급되는 상기 유동가스의 공급속도(mole/sec)는 반응가스를 공급하지 않는 상태에서 반응영역에서의 실리콘 입자들이 반응온도 범위 내에서 유동을 시작하는 상태에 해당하는 공급속도의 1
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 반응가스는 실리콘원소를 함유하는 성분으로서 모노실란, 이염화실란, 삼염화실란, 사염화실란 가운데서 선택된 하나 또는 두 가지 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 반응가스는 수소, 질소, 아르곤, 헬륨, 염화수소 가운데서 선택된 하나 또는 두 가지 이상의 성분을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
11 11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 유동층 반응기 외부에서 제조된 실리콘 종입자(seed crystal)를 종입자공급부에 의하여 상기 반응관 내부로 공급하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
12 12
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 반응가스공급부는 상기 가열영역에 해당하는 공간에서 반응가스 공급용 반응가스노즐과 상기 반응가스노즐을 에워싸는 하나 또는 다수의 노즐이 동축 다중관의 형태를 지니게 구성하여 상기 반응가스노즐을 보호하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 동축 다중관의 동심원 부분에 수소, 질소, 아르곤, 헬륨 중에서 선택된 한 가지 또는 두 가지 이상을 포함하는 불활성가스가 흐르게 하여 상기 반응가스노즐 내벽면에서 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 불활성가스에 연속적으로, 간헐적으로 또는 주기적으로 염화수소를 추가시켜 상기 반응가스노즐 출구부분에 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 방지하거나 이미 생성된 실리콘 퇴적물을 제거하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
15 15
청구항 1에 있어서, 상기 유동층 반응기가 상기 반응관을 반응기 셸이 에워싸는 구조가 되도록 상기 반응관을 상기 반응기 셸 내부에 수직으로 배치하여, 상기 반응관의 내부공간이 상기 실리콘 입자들의 층이 존재하고 상기 가열영역과 상기 반응영역을 포함하는 내부영역으로 정해지는 동시에, 상기 반응관과 상기 반응기 셸 사이의 공간이 상기 실리콘 입자들의 층이 형성되지 않고 상기 석출반응이 일어나지 않는 외부영역으로 정해지도록 하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 외부영역에 수소, 질소, 아르곤, 헬륨 중에서 선택된 한 가지 또는 두 가지 이상을 포함하는 불활성가스가 흐르게 하여 상기 외부영역이 불활성가스 분위기로 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
17 17
청구항 15에 있어서, 상기 외부영역에서의 압력(Po)과 상기 내부영역에서의 압력(Pi)의 차이가 0 bar < ｜Po - Pi｜≤ 1 bar 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 외부영역에서의 압력 또는 상기 내부영역에서의 압력이 1 ~ 20 bar 범위 내에서 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
19 19
청구항 15에 있어서, 내부가열기에 추가하여 상기 외부영역에 설치되는 보조가열기를 이용하여 상기 내부영역을 가열하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
20 20
청구항 19에 있어서, 상기 보조가열기의 가열용량이 상기 내부가열기의 가열용량의 10 ~ 100% 범위 내에 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기를 이용한 입자형 다결정 실리콘의 제조방법
21 21
입자형태의 다결정 실리콘을 제조하기 위한 유동층 반응기를 포함하는 다결정 실리콘 제조장치에 있어서,상기 유동층 반응기가,반응관과;상기 반응관을 에워싸는 반응기 셸과;상기 반응관 내부에 형성되는 실리콘 입자들 층의 하부에서 유동가스를 공급하기 위한 유동가스공급부와;상기 실리콘 입자들 층 내부로 실리콘 석출에 필요한 반응가스를 공급하기 위해 상기 실리콘 입자들 층 내부에서 수직하게 설치되는 반응가스공급부와;상기 반응가스공급부의 반응가스 출구가 상기 유동가스공급부보다 높게 위치되도록 함으로써, 상기 반응관의 내부영역이 상기 반응가스 출구의 높이를 기준으로 상측 및 하측으로 각각 구분되어 이루어지는 반응영역 및 가열영역과;상기 가열영역에서 상기 반응가스공급부와 상기 반응관 내벽면 사이에 설치되어 전기저항가열에 의하여 상기 유동가스와 상기 실리콘 입자들을 가열하는 내부가열기와;상기 반응영역을 통과하는 유동가스, 미반응 반응가스, 반응생성물 가스를 포함하는 배출가스를 유동층 반응기의 외부로 배출하는 가스배출부와; 상기 반응관 내부에서 상기 실리콘 석출반응으로 제조된 실리콘 입자들의 일부를 실리콘 제품입자로서 유동층 반응기 외부로 배출하기 위한 입자배출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
22 22
청구항 21에 있어서, 상기 가열영역의 공간 중에서 상기 반응관 내벽면, 상기 유동가스공급부, 상기 반응가스공급부 및 상기 내부가열기 사이에 이루어지는 공간의 전체 또는 일부에 상기 유동가스의 흐름에 의하여 유동되지 않는 충진물로 구성되는 충진층을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
23 23
청구항 22에 있어서, 상기 충진물은 평균 직경이 5 mm ~ 50 mm 범위 내에 포함되는 구(sphere), 비드(bead), 볼(ball), 과립(granule), 조각(fragment), 덩어리(lump), 타원체(spheroid), 다면체(polyhedron), 자갈(pebble), 펠릿(pellet), 링(ring) 또는 너겟(nugget)의 형태를 지니는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
24 24
청구항 22 또는 청구항 23에 있어서, 상기 충진물은 그 재질을 구성하는 성분이 석영, 실리카, 질화규소, 질화보론, 탄화규소, 흑연, 실리콘, 유리질 탄소 중에서 선택된 하나 또는 두 가지 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
25 25
청구항 24에 있어서, 상기 충진물은 그 두께방향으로 재질을 구성하는 성분층이 하나 또는 두 가지 이상 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
26 26
청구항 21에 있어서, 상기 반응기 셸의 내부공간이, 상기 반응관에 의해 구획되는 것으로서, 실리콘 입자들 층이 형성되고 실리콘 석출반응이 일어나는 내부영역과, 상기 실리콘 입자 층이 형성되지 않고 실리콘 석출반응이 일어나지 않는 외부영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
27 27
청구항 26에 있어서, 상기 외부영역을 불활성가스 분위기로 유지할 수 있게 하기 위한 불활성가스 연결부와; 상기 내부영역 및 외부영역에서의 압력을 각각 측정 또는 조절 또는 측정 및 조절하기 위한 압력제어수단과; 상기 외부영역에서의 압력(Po)과 상기 내부영역에서의 압력(Pi)의 차이가 0 bar < ｜Po - Pi｜≤ 1 bar 범위 내에서 유지될 수 있도록 하는 압력차조절수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
28 28
청구항 26에 있어서, 상기 외부영역에 단열재가 설치되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
29 29
청구항 26에 있어서, 상기 외부영역에 보조가열기를 추가 설치하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
30 30
청구항 26에 있어서, 상기 내부영역에 마이크로파를 공급하여 상기 내부영역을 가열할 수 있게 전기에너지를 마이크로파로 변환시키는 마이크로파 발생기로부터 마이크로파를 전달하는 도파관이나 또는 상기 마이크로파 발생기를 상기 반응기 셸과 결합하여 추가로 설치하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
31 31
청구항 21에 있어서, 상기 반응기 셸은 그 재질을 구성하는 성분이 탄소강과 스테인리스강 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 금속으로 이루어진 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
32 32
청구항 21에 있어서, 상기 반응관은 그 재질을 구성하는 성분이 석영(quartz), 실리카(silica), 질화규소(silicon nitride), 질화보론(boron nitride), 탄화규소(silicon carbide), 흑연(graphite), 유리질 탄소(glassy carbon) 및 실리콘(silicon) 중에서 선택된 하나 또는 두 가지 이상을 포함하는 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
33 33
청구항 32에 있어서, 상기 반응관은 그 두께방향으로 상기 반응관의 재질을 구성하는 성분층이 하나 또는 두 가지 이상 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
34 34
청구항 21에 있어서, 상기 내부가열기는 하나의 또는 다수의 가열기 단위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
35 35
청구항 34에 있어서, 상기 다수의 가열기 단위는 전기적으로 직렬 또는 병렬 또는 직렬 및 병렬 형식으로 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
36 36
청구항 34에 있어서, 상기 가열기 단위는 반응기 셸과 결합되어 설치되는 전기연결부를 통해 전력공급원과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
37 37
청구항 36에 있어서, 상기 전기연결부는 상기 반응기 셸 내부 또는 셸 외부 또는 셸 내부 및 셸 외부에 설치되는 전극부를 포함하고, 상기 전극부에 의하여 상기 가열기 단위가 전기적으로 직렬 또는 병렬 또는 직렬 및 병렬 형식으로 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
38 38
청구항 37에 있어서, 상기 전극부는 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 카드뮴(Cd) 중에 선택된 하나 또는 두 가지 이상의 금속원소를 포함하는 금속 또는 합금으로 제작되거나, 표면이 탄화규소로 처리된 흑연으로 제작되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
39 39
청구항 34에 있어서, 상기 가열기 단위에 포함되어 전기저항가열이 발생하는 저항체는 두께방향의 단면이 원, 타원 또는 다각형인 로드(rod), 와이어(wire), 필라멘트(filament), 바(bar), 스트립(strip) 및 리본(ribbon)과, 단면이 동심원, 동심타원 또는 동심다각형인 도관(conduit), 튜브(tube), 실린더(cylinder) 및 덕트(duct) 중에 선택된 형태를 지니며, 길이방향에 따라 상기 단면의 형태 또는 크기 또는 단면의 형태 및 크기가, 한 가지 또는 두 가지 이상을 포함하는 형태를 지니는 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
40 40
청구항 39에 있어서, 상기 저항체를 이루는 재료의 성분이 흑연, 탄화규소 및 실리콘 가운데에서 선택된 하나 또는 두 가지를 포함하는 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
41 41
청구항 39에 있어서, 상기 저항체를 이루는 재료의 성분이 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 노븀(Nb), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 테크네튬(Tc), 하프늄(Hf), 로듐(Rh), 바나듐(V), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 토륨(Th), 란타늄(La), 티타늄(Ti), 루테늄(Lu), 이트륨(Y), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al) 중에 선택된 하나 또는 두 가지 이상의 금속원소를 포함하는 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
42 42
청구항 39에 있어서, 상기 저항체를 이루는 재료의 성분이 몰리브덴규소화물(Mo-Si), 란탄늄크롬화물(La-Cr-O) 및 지르코니아 중에 선택된 하나 또는 두 가지 이상의 성분을 포함하는 세라믹 금속인 것을 특징으로 입자형 다결정 실리콘 제조장치
43 43
청구항 39에 있어서, 상기 저항체가 실리콘 입자들과 직접 접촉하지 못하도록, 상기 저항체 외부에 보호관을 설치하거나; 상기 저항체의 표면에 분리기능성분으로 이루어지는 하나의 또는 다수의 분리층을 형성시키거나; 또는 상기 분리층이 형성된 저항체의 외부에 보호관을 설치하여 상기 가열기 단위를 구성하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
44 44
청구항 43에 있어서, 상기 보호관의 두께방향 단면이 동심원, 동심타원 또는 동심다각형의 형태를 지니는 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
45 45
청구항 43에 있어서, 상기 분리층 또는 상기 보호관 또는 상기 분리층 및 보호관이 분리기능성분으로 이루어진 1가지 이상 5가지 이하 종류의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
46 46
청구항 45에 있어서, 상기 분리기능성분이 저항체로부터 실리콘 입자들 또는 유동가스 또는 실리콘 입자들 및 유동가스에 불순물이 확산되는 것을 방지하는 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
47 47
청구항 45에 있어서, 상기 분리기능성분이 전기절연성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
48 48
청구항 45에 있어서, 상기 분리기능성분이 실리콘(Si) 또는 붕소(B)의 질화물, 산화물, 탄화물 또는 산화질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
49 49
청구항 45에 있어서, 상기 분리기능성분이 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 노븀(Nb), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 테크네튬(Tc), 하프늄(Hf), 로듐(Rh), 바나듐(V), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 토륨(Th), 란타늄(La), 티타늄(Ti), 루테늄(Lu), 이트륨(Y), 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg) 및 알루미늄(Al) 중에 선택된 하나 또는 두 가지 이상 금속원소의 질화물, 산화물, 규소화물, 붕소화물, 탄화물, 산화질화물 또는 산화규소화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
50 50
청구항 45에 있어서, 상기 분리층 두께의 합을 1 ㎛ ~ 5 mm의 범위 내에 포함되도록 하거나, 상기 보호관의 두께를 1 mm ~ 20 mm의 범위 내에 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
51 51
청구항 45에 있어서, 상기 분리층이 실리콘을 분리기능성분으로 하는 실리콘층을 1 ㎛ ~ 5 mm 범위 내의 두께로 추가로 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
52 52
청구항 21에 있어서, 상기 유동가스공급부는 상기 가열영역의 하부에서 유동가스를 분산하여 공급할 수 있게 다수의 구멍이 뚫린 평판의 형태나 디스크 또는 원추형판의 형태를 지니는 가스분산판 또는 가스분산용 성형물을 포함하거나, 다수의 유동가스공급노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
53 53
청구항 21에 있어서, 상기 반응가스공급부는 상기 가열영역에 해당하는 공간에서 반응가스 공급용 반응가스노즐과 상기 반응가스노즐을 에워싸는 하나 또는 다수의 노즐이 동축 다중관의 형태를 지니게 구성되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
54 54
청구항 21에 있어서, 상기 입자배출부가 상기 반응가스공급부와 동축 다중관을 이루면서 구성되거나 별도로 구성되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
55 55
청구항 21에 있어서, 상기 유동가스공급부, 반응가스공급부 및 입자배출부나, 상기 유동가스공급부와 반응가스공급부 또는 입자배출부는 그 재질을 구성하는 성분이 석영, 실리카, 질화규소, 질화보론, 탄화규소, 흑연, 실리콘, 유리질 탄소 중에서 선택된 하나 또는 두 가지 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
56 56
청구항 55에 있어서, 상기 유동가스공급부, 반응가스공급부 및 입자배출부나, 상기 유동가스공급부와 반응가스공급부 또는 입자배출부는 그 두께방향으로 재질을 구성하는 성분층이 하나 또는 두 가지 이상 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 입자형 다결정 실리콘 제조장치
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6 US08821827 US 미국 FAMILY
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8 US20090047204 US 미국 FAMILY
9 US20100068116 US 미국 FAMILY
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1 CA2660075 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
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6 EA200970106 EA 유라시안특허기구(EAPO) DOCDBFAMILY
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10 JP2010500274 JP 일본 DOCDBFAMILY
11 JP2010500274 JP 일본 DOCDBFAMILY
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14 US2010068116 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US2014335008 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US8747757 US 미국 DOCDBFAMILY
17 US8821827 US 미국 DOCDBFAMILY
18 US9764960 US 미국 DOCDBFAMILY
19 WO2008018760 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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