요약 | 본 발명은 신규한 안트라센(anthracene) 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.안트라센, 트리아졸, 유기전자소자, 유기발광소자 |
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Int. CL | C09K 11/06 (2006.01) C07D 249/08 (2006.01) |
CPC | C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020060077502 (2006.08.17) |
출원인 | 주식회사 엘지화학 |
등록번호/일자 | 10-1251656-0000 (2013.04.01) |
공개번호/일자 | 10-2008-0016005 (2008.02.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130405) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.01.18) |
심사청구항수 | 17 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 주식회사 엘지화학 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 이동훈 | 대한민국 | 서울특별시 구로구 |
2 | 김연환 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산서구 |
3 | 배재순 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 이대웅 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
5 | 김창환 | 대한민국 | 제주특별자치도 제주시 |
6 | 박진균 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 정순성 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 주식회사 엘지화학 | 서울특별시 영등포구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0584309-43 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.09.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0579680-77 |
3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.01.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0040370-77 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0584576-60 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0985568-08 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.11.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0985569-43 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.03.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0214084-10 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 하기 화학식 1로 나타내는 안트라센 유도체:003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기 및 아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아민기로 이루어진 군에서 선택되고, R3 및 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 2의 기 또는 하기 화학식 3의 기이며,003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 에 있어서,L1는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C15의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,003c#화학식 3003e#상기 화학식 3 에 있어서,L2는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C15의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아미노기로 이루어진 군에서 선택되고, R7 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며, R3 중 R4 중 하나가 상기 화학식 2의 기 또는 화학식 3의 기일때 나머지 하나는 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, C3~C40의 헤테로아릴기 및 아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아미노기로 이루어진 군에서 선택된다 |
2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기인 안트라센 유도체 |
3 |
3 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 헤테로아릴기인 안트라센 유도체 |
4 |
4 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기인 안트라센 유도체 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 L1은 직접결합, 비치환된 C6~C15의 아릴렌기 및 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기 중에서 선택된 어느 하나인 안트라센 유도체 |
7 |
7 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 R5 및 R6 중 적어도 하나는 C1~C40의 알킬기 또는 C6~C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기인 안트라센 유도체 |
8 |
8 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 3의 L2는 직접결합, 비치환된 C6~C15의 아릴렌기 및 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기 중에서 선택된 어느 하나인 안트라센 유도체 |
9 |
9 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 3의 R7 및 R8 중 적어도 하나는 C1~C40의 알킬기 또는 C6~C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기인 안트라센 유도체 |
10 |
10 청구항 1에 있어서, 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 중에서 선택되고, 상기 시클로알킬기는 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 중에서 선택되며, 상기 알케닐기는 스틸베닐기(stylbenyl) 또는 스티레닐기(styrenyl)의 아릴기가 치환된 알케닐기이고, 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 40의 알콕시기며, 상기 아릴기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기, 파이레닐기, 페릴렌기 및 이들의 유도체 중에서 선택되고, 아릴 아민기의는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 중에서 선택되며, 상기 헤테로고리기는 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 티오펜기, 퓨란기, 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 트리아졸기, 퀴놀리닐기 및 이소퀴놀린기 중에서 선택되고, 상기 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 및 요오드 중에서 선택되는 안트라센 유도체 |
11 |
11 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상이 청구항 1 내지 4 및 6 내지 10 중 어느 한 항의 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자 |
12 |
12 청구항 11에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기전자소자 |
13 |
13 청구항 11에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자인 것인 유기전자소자 |
14 |
14 청구항 13에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자 |
15 |
15 청구항 13에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자 |
16 |
16 청구항 13에 있어서, 상기 유기발광소자는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 수송층 중에서 어느 하나 이상을 포함하는 유기물층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자 |
17 |
17 청구항 13에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 안트라센 유도체로 형성되는 것인 유기전자소자 |
18 |
18 청구항 13에 있어서, 상기 유기물층은 전자 수송층 또는 주입층을 포함하고, 이 층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-1251656-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20060817 출원 번호 : 1020060077502 공고 연월일 : 20130405 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130328 청구범위의 항수 : 17 유별 : C09K 11/06 발명의 명칭 : 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 708,000 원 | 2013년 04월 01일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2016년 03월 31일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2017년 03월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2018년 04월 03일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2019년 04월 01일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2020년 04월 01일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | 특허출원서 | 2006.08.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0584309-43 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.09.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0579680-77 |
3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.01.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0040370-77 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0584576-60 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0985568-08 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.11.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0985569-43 |
7 | 등록결정서 | 2013.03.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0214084-10 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
기술번호 | KST2015044560 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | LG그룹 |
기술명 | 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 |
기술개요 |
본 발명은 신규한 안트라센(anthracene) 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.안트라센, 트리아졸, 유기전자소자, 유기발광소자 |
개발상태 | |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제정보가 없습니다 |
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