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a) 헤테로폴리산 용액에 비이온성 템플레이트를 혼합하고, 실리카 솔 전구체를 첨가하여 실리카 솔을 생성하는 단계;
b) 상기 실리카 솔에 염을 첨가하는 단계;
c) 상기 혼합물에 양이온 형태의 템플레이트를 첨가하는 단계;
d) 상기 혼합물에 불산을 첨가하여 솔을 축합하는 단계; 및
e) 상기 축합한 솔을 숙성, 건조, 및 소성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 비이온성 템플레이트가 Triton 계열, Pluronic 계열, Brij 계열, Tween 계열, 및 Tergitol 계열로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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3
제1항에 있어서,
상기 헤테로폴리산 용액과 비이온성 템플레이트가 1 : 100 내지 1 : 2의 중량비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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4
제1항에 있어서,
상기 실리카 솔 전구체가 실리카, TEOS, 및 TMOS로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 실리카 솔 전구체가 비이온성 템플레이트와 1 : 10 내지 1 : 4의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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6
제1항에 있어서,
상기 헤테로폴리산의 실리카에 대한 무게비가 최대 50 %인 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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7
제1항에 있어서,
상기 염이 세륨염, 칼륨염, 루비듐염, 암모늄염, 피리딘염, 및 수용성 염으로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 염이 화학식 1의 식에 의하여 0 내지 n+x의 값으로 사용되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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9
제1항에 있어서,
상기 양이온 형태의 템플레이트가 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 도데실트리메틸암모늄 브로마이드, 옥타데실트리메틸암모늄 브로마이드, 및 세틸피리디니움 클로라이드로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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10
제1항에 있어서,
상기 양이온 형태의 템플레이트가 실리카와 10 : 1 내지 4 : 1의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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11
제1항에 있어서,
상기 불산이 실리카에 대하여 최대 6 몰%로 포함되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염의 제조방법
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12
제1항 기재의 방법으로 제조되어 하기 화학식 1로 표시되는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염:
[화학식 1]
CsnH4-nPM12-xVxO40/SiO2
상기 화학식 1의 식에서,
M은 P 주위의 옥타헤드럴 위치에 존재하며, Mo 또는 W로부터 선택되는 산화수가 6가인 금속이며,
X는 1 내지 3이고,
n은 0 내지 4이다
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13
제12항에 있어서,
상기 헤테로폴리산 및 그의 염이 Cu, Mn, Ni, Zn, Co, Sb, Bi, Pb, Fe, Pa, Pd, 및 As으로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 전이금속을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염
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14
제12항에 있어서,
상기 헤테로폴리산 및 그의 염이 기상 반응, 액상 반응, 탄화수소의 부분산화반응, 알킬화 반응, 아실화반응, 저중합반응, 선택적 산화반응, 이성화반응, 하이드로실레이, 크랙킹, 또는 흡착에 적용되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염
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15
제12항에 있어서,
상기 헤테로폴리산 및 그의 염이 실리카에 최대 60 중량%로 담지되는 것을 특징으로 하는 실리카에 담지된 헤테로폴리산 및 그의 염
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