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플라즈마 화학 기상 증착 장치

  • 기술번호 : KST2015044917
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요약 본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 상부전극 구조 변경을 통해 단위막 공정 특성을 개선한 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터; 상기 기판에 박막을 증착시키기 위한 반응가스를 상기 공정 챔버 내에 주입하는 가스 주입구; 상기 가스 주입구를 통해 주입되는 반응가스를 확산시키기 위해 상기 공정 챔버 내 상부에 형성된 상부전극; 상기 상부 전극을 지탱하는 상부 전극 커버; 및 상기 상부 전극 커버와 상기 챔버 리드와의 체결을 유지하는 다수개의 볼트를 포함하는 것을 특징으로 한다.이러한 구성에 의하여, 본 발명은 플라즈마 화학 증착 장치의 상부전극 구조변경을 통해 공정조건을 개선하여 균일성 개선 효과를 얻을 수 있다.상부전극, PECVD, 서셉터
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01)
CPC C23C 16/509(2013.01)
출원번호/일자 1020060084303 (2006.09.01)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1264695-0000 (2013.05.09)
공개번호/일자 10-2008-0020865 (2008.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20130516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안상언 대한민국 경기도 파주시 황골로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0635181-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0669114-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0030776-19
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0544935-21
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0936123-67
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0936124-13
12 등록결정서
Decision to grant
2013.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0211554-53
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번호 청구항
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공정 챔버와;상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터와;상기 기판에 박막을 증착시키기 위한 반응가스를 상기 공정 챔버 내에 주입하는 가스 주입구와;상기 가스 주입구를 통해 주입되는 반응가스를 확산시키기 위해 상기 공정 챔버 내의 상부에 형성되고 하부면의 센터가 오목하게 가공된 상부 전극과;상기 상부 전극을 지탱하는 상부 전극 커버와;크로스 형태로 배열되어 상기 상부 전극 커버와 상기 공정 챔버를 체결시키는 다수개의 볼트를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 상부 전극의 하부면의 센터는 2
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제 7 항에 있어서, 상기 볼트는 체결 부위가 15~17개의 부위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 볼트는 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.