| 1 |
1
(a) 전해질 염; (b) 전해액 용매; 및 (c) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시 가능한 테레프탈레이트기를 함유하는 화합물을 포함하는 전지용 전해액:[화학식 1][화학식 2]상기 식에 있어서, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기이며, n은 0 내지 4의 정수이며, R1 및 R2은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 할로겐으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기이다
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 테레프탈레이트기 함유 화합물은 디메틸 테레프탈레이트(DMT), 테레프탈알데히드(terephthaldehyde)인 전해액
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 테레프탈레이트기를 함유하는 화합물은 전기적 환원에 의해 음극 상에 고체 전해질 계면(solid electrolyte interface: SEI) 피막을 형성할 수 있는 것이 특징인 전해액
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 테레프탈레이트기 함유 화합물의 함량은 전해액 100 중량부 당 0
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 전해액은 전해액 용매 보다 낮은 환원 전위를 갖는 화합물을 추가로 포함하는 것이 특징인 전해액
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서, 상기 전해액 용매보다 낮은 환원 전위를 갖는 화합물은 비닐렌 카보네이트(VC) 또는 프로판설톤(PS)인 전해액
|
| 8 |
8
제 6항에 있어서, 상기 전해액 용매 보다 낮은 환원 전위를 갖는 화합물의 함량은 전해액 100 중량부 대비 0
|
| 9 |
9
하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시 가능한 테레프탈레이트기 함유 화합물 또는 이의 화학 반응 결과물을 함유하는 고체 전해질 계면(SEI film: solid electrolyte interface) 피막이 표면의 일부 또는 전부에 형성된 전극:[화학식 1][화학식 2]상기 식에 있어서,R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기이며,n은 0 내지 4의 정수이며,R1 및 R2은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 할로겐으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기이다
|
| 10 |
10
양극, 음극, 전해액 및 분리막을 포함하는 이차 전지에 있어서, 상기 이차 전지는 제1항의 전해액, 제9항의 전극 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 특징인 이차 전지
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서, 상기 양극은 (a) 리튬 이온의 흡장 및 방출이 가능한 리튬 망간계 산화물을 포함하고, 음극은 비정질 카본을 포함하는 것인 이차 전지
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 이차 전지는 리튬 이차 전지인 이차 전지
|
| 13 |
13
이차 전지의 음극 상에서 환원되어 고체 전해질 계면(SEI) 피막을 형성할 수 있는 화합물로서, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시 가능한 테레프탈레이트기를 함유하는 SEI막 형성용 전해액 첨가제:[화학식 1][화학식 2]상기 식에 있어서,R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기이며,n은 0 내지 4의 정수이며,R1 및 R2은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 할로겐으로 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기이다
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서, 상기 화합물은 디메틸 테레프탈레이트(DMT), 테레프탈알데히드(terephthaldehyde)인 SEI 막 형성용 전해액 첨가제
|
