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적층형 광기전력 변환장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015045280
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적층형 광기전력 변환장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 적층형 광기전력 변환장치는 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층이 순차적으로 적층된 광기전력 변환층; 및 상기 p형 반도체층 및 상기 i형 반도체층 사이에 위치하여 상기 p형 반도체층과 상기 i층 사이의 계면에 존재하는 결함에 의한 재결합을 줄이는 버퍼층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 높은 광전 변환 효율을 갖는 태양전지 소자를 제조할 수 있게 된다. 본 발명이 상용화되면 차세대 청정 에너지원으로서 지구 환경 보전에 기여할 것이고, 공공시설, 민간시설, 군수시설 등에 직접 응용되어 막대한 경제적 가치를 창출할 수 있을 것이다. 태양전지, p형 반도체층, i형 반도체층, n형 반도체층, 버퍼층, 계단형
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/075 (2014.01)
CPC H01L 31/0745(2013.01) H01L 31/0745(2013.01) H01L 31/0745(2013.01) H01L 31/0745(2013.01)
출원번호/일자 1020060102500 (2006.10.20)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1233205-0000 (2013.02.07)
공개번호/일자 10-2008-0035885 (2008.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김범성 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김화년 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 어영주 대한민국 서울특별시 광진구
4 이헌민 대한민국 경기도 광주시
5 안세원 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0759777-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219335-97
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0383434-01
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0019089-46
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0435142-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0697757-08
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0697755-17
12 등록결정서
Decision to grant
2013.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0034753-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층이 순차적으로 적층된 광기전력 변환층; 및상기 p형 반도체층 및 상기 i형 반도체층 사이에 위치하여 상기 p형 반도체층과 상기 i형 반도체층 사이의 계면에 존재하는 결함에 의한 재결합을 줄이는 버퍼층을 포함하고, 상기 버퍼층은 다결정 구조의 Si 또는 SiC를 포함하며, 상기 p형 반도체층에 가까운 부분에서 상기 n형 반도체층에 가까운 부분으로 향하면서 상기 Si 또는 상기 SiC의 결정립 크기 또는 결정화도가 단계적으로 변화되는 것을 특징으로 하는 적층형 광기전력 변환장치
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기판 상부에 p형 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층 상부에 계면에 존재하는 결함에 의한 재결합을 줄이는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상부에 i형 반도체층 및 n형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버퍼층은 다결정 구조의 Si 또는 SiC를 포함하며,상기 버퍼층을 형성하는 방법은, 상기 p형 반도체층에 가까운 부분에서 상기 n형 반도체층에 가까운 부분으로 향하면서 상기 Si 또는 상기 SiC의 결정립 크기를 단계적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 적층형 광기전력 변환장치 제조방법
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기판 상부에 p형 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층 상부에 계면에 존재하는 결함에 의한 재결합을 줄이는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상부에 i형 반도체층 및 n형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버퍼층은 다결정 구조의 Si 또는 SiC를 포함하며,상기 버퍼층을 형성하는 방법은 상기 p형 반도체층에 가까운 부분에서 상기 n형 반도체층에 가까운 부분으로 향하면서 결정질의 결정화도를 단계적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 적층형 광기전력 변환장치 제조방법
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