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실리콘 기판 상에 배선을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015045359
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요약 본 발명은 실리콘 기판 상에 금속 배선을 형성하는 방법으로서, 금속 분말을 포함하고 있고 상온에서 고상(solid phase)인 배선용 잉크 조성물을 잉크 젯 노즐을 통해 드롭렛의 형태로 적하시켜 실리콘 기판 상에서 고화시키는 과정을 포함하는 것으로 구성된 배선 형성 방법에 관한 것으로, 배선용 잉크 조성물의 퍼짐 현상 및 적하시의 튀김 현상을 억제하고, 건조된 후에도 일정한 선폭과 높이의 배선을 유지할 수 있으며, 용매를 제거하기 위한 건조 공정을 생략하여 완제품의 제조공정을 간소화할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020060095216 (2006.09.29)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1244788-0000 (2013.03.12)
공개번호/일자 10-2008-0029323 (2008.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유재성 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0711666-74
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0256981-18
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089822-47
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0408059-94
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0676795-96
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0676796-31
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0767299-10
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.01.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0001575-35
14 등록결정서
Decision to grant
2013.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0122328-86
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 금속 배선을 형성하는 방법으로서, 금속 분말을 포함하고 있고 상온에서 고상(solid phase)인 배선용 잉크 조성물을 잉크 젯 노즐을 통해 가열 가압하여 비용융 상태의 드롭렛의 형태로 적하시켜 실리콘 기판 상에서 바로 고화시키는 과정을 포함하며,상기 잉크 젯 노즐을 배선용 잉크 조성물의 융점 이하의 온도로 가열하면서 가압하여 1 Poise 이하의 점도를 갖는 드롭렛의 형태로 적하시키는 배선 형성 방법
2 2
삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 잉크 젯 노즐은 배선용 잉크 조성물의 융점 보다 5 ~ 20℃ 낮은 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 상온 이하로 냉각시켜 적하된 드롭렛을 고화시키는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 방법에 의해 태양전지의 전면전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 드롭렛은 실리콘 기판의 불순물 층 상에 도포되어 있는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물의 반사방지막 상에 적하되는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법
10 10
제 1 항, 제3항, 제5항, 제8항 및 제 9 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 실리콘 기판의 전면 배선이 형성되어 있는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.