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반도체 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015045374
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요약 본 발명에 의한 반도체 발광소자는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 상기 n형 반도체층 위에 형성되는 n측 전극; 및 상기 n측 전극 위에 형성되는 과전압보호층을 포함한다. 또한, 본 발명에 의한 반도체 발광소자의 제조 방법은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 n형 반도체층 위에 n측 전극이 형성되는 단계; 및 상기 n측 전극 위에 과전압보호층이 형성되는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면, 종래와 같이 단품상태인 과전압보호소자를 반도체 발광소자 패키지에 실장할 필요가 없으므로 광도가 저하되는 것을 방지할 수 있고, 반도체 발광소자 패키지의 사이즈를 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/46 (2014.01)
CPC H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01)
출원번호/일자 1020060102006 (2006.10.19)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1273177-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자 10-2008-0035376 (2008.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희진 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0756113-36
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0205540-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0558845-12
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0023713-89
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0552268-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0952116-12
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0952115-77
11 등록결정서
Decision to grant
2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0200096-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자에 있어서,상기 n형 반도체층 위에 형성되는 n측 전극; 및상기 n측 전극 위에 형성되는 과전압보호층을 포함하고,상기 과전압보호층은상기 n측 전극 위에 형성되는 제1금속층;상기 제1금속층 위에 형성되는 금속산화물층; 및상기 금속산화물층 위에 형성되는 제2금속층을 포함하며,상기 제2금속층은 접지단과 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속산화물층은1μm 내지 20μm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 과전압보호층은마스크를 이용한 스퍼터링(Sputtering) 공법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속산화물층은 복수의 금속산화물로 이루어지고, 상기 복수의 금속산화물은 ZnO과 Bi2O3를 포함하는 반도체 발광소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속산화물층에 포함된 ZnO과 Bi2O3은, 94 ∼ 97 wt%의 ZnO와 2 ∼ 3 wt%의 Bi2O3를 포함하는 반도체 발광소자
8 8
제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 금속산화물층은 복수의 금속산화물로 이루어지고, 상기 복수의 금속산화물은 CrO3과 CoO를 포함하는 반도체 발광소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 금속산화물층에 포함된 CrO3과 CoO은, 0
10 10
제1항에 있어서, 상기 과전압보호층은4 ∼ 20 V를 정격 전압으로 하고, 상기 정격 전압을 초과하는 전류가 상기 n측 전극으로 공급되는 경우, 전류의 일부는 상기 n형 반도체층으로 흐르고, 나머지 전류는 상기 과전압보호층을 통해 상기 접지단으로 전달되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.