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디스플레이 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015045405
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 금속 전극을 다층 금속층 구조로 형성하여 금속 전극의 저항을 줄일 수 있으며, 또한 도전성 파티클 주변의 금속층 상에 산화막을 형성하여 금속 전극에서의 도전성 파티클에 의한 누설 전류 발생을 억제할 수 있는 디스플레이 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 디스플레이 소자 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 제 1 전극 상에 유기물층을 형성하는 단계; 유기물층 상에 하부 금속층을 형성하는 단계; 하부 금속층 일부에 산화막을 형성하는 산화 공정 실시 단계; 및 하부 금속층 상에 상부 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 하부 금속층은 적어도 2개의 단위 금속층으로 이루어지며, 산화 공정 단계는 각 단위 금속층 형성 공정 후에 각각 진행된다. 또한, 본 발명에 따른 디스플레이 소자는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판에 형성된 제 1 전극 및 제 1 전극 상에 형성된 유기물층; 및 유기물층에 형성된 하부 금속층 및 하부 금속층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 하부 금속층 일부에는 산화막이 형성되어 있다. 유기 전계 발광 소자, 금속 전극
Int. CL	H05B 33/26 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC	H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01)
출원번호/일자	1020060099393 (2006.10.12)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0754481-0000 (2007.08.27)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20070903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020060056973 \| 2006.06.23
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.10.12)
심사청구항수	19

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김상대	대한민국	대구 수성구
2	이정환	대한민국	대구광역시 북구
3	최호원	대한민국	경북 구미시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	조희연	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2	최규팔	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로길 , ***호 (역삼동)(특허법인한성)
3	배정일	대한민국	서울특별시 강남구 논현로 *, 층(역삼동, 송촌빌딩)(아레나특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.10.12	수리 (Accepted)	1-1-2006-0737732-98
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.05.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.06.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0035808-81
4	등록결정서 Decision to grant	2007.06.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0343740-59
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 유기물층을 형성하는 단계;상기 유기물층 상에 하부 금속층을 형성하는 단계;상기 하부 금속층 일부에 산화막을 형성하는 산화 공정 실시 단계; 및 상기 하부 금속층 상에 상부 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 소자 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 하부 금속층은 열 화학 기상 증착 또는 이-빔 증착 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 하부 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 하부 금속층 형성 단계는 적어도 2개의 단위 금속층을 형성하는 단계로 이루어지며, 상기 산화 공정 실시 단계는 상기 각 단위 금속층 형성 단계 후에 각각 실시되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 하부 금속층의 최하층 단위 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
6	6 제 4 항에 있어서, 상기 하부 금속층의 상기 최하층 단위 금속층은 60 nm 내지 70 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
7	7 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 산화 공정은 불활성 가스 및 산소가 포함된 챔버 내에서 실시되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 불활성 가스는 아르곤 또는 질소이며, O2 의 비율은 2 내지 15 체적%인 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 하부 금속층과 상기 상부 금속층은 동일 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 하부 금속층 및 상부 금속층은 알루미늄, 마그네슘, 망간, 칼슘 및 그의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 제조 방법
11	11 기판;상기 기판에 형성된 제 1 전극 및 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기물층; 및상기 유기물층 상에 형성된 하부 금속층 및 상기 하부 금속층 상에 형성된 상부 금속층으로 이루어진 제 2 전극을 포함하며, 상기 하부 금속층 일부에는 산화막이 형성되어 있는 디스플레이 소자
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 하부 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 하부 금속층은 적어도 2개의 단위 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 하부 금속층의 상기 각 단위 금속층의 일부에는 산화막이 형성되어 있는 디스플레이 소자
15	15 제 13 항에 있어서, 상기 각 단위 금속층은 1 nm 내지 100 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
16	16 제 13 항에 있어서, 상기 각 단위 금속층은 60 nm 내지 70 nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
17	17 제 11 항에 있어서, 상기 하부 금속층과 상기 상부 금속층은 동일 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
18	18 제 11 항에 있어서, 상기 하부 금속층과 상기 상부 금속층은 알루미늄, 마그네슘, 망간, 칼슘 또는 그의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
19	19 제 11 항에 있어서, 상기 산화막은 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 마그네슘 옥사이드(MgOx), 망간 옥사이드(MnOx) 또는 칼슘 옥사이드(CaOx)인 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN101162727	CN	중국	FAMILY
2	EP01921899	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
3	JP04911378	JP	일본	FAMILY
4	JP20098137	JP	일본	FAMILY
5	US07839086	US	미국	FAMILY
6	US20080088231	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN100565898	CN	중국	DOCDBFAMILY
2	CN101162727	CN	중국	DOCDBFAMILY
3	JP2008098137	JP	일본	DOCDBFAMILY
4	JP4911378	JP	일본	DOCDBFAMILY
5	US2008088231	US	미국	DOCDBFAMILY
6	US7839086	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-0754481-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20061012 출원 번호 : 1020060099393 공고 연월일 : 20070903 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070625 청구범위의 항수 : 19 유별 : H05B 33/26 발명의 명칭 : 디스플레이 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	1,107,000 원	2007년 08월 28일	납입
제 4 년분	금 액	458,000 원	2010년 06월 30일	납입
제 5 년분	금 액	458,000 원	2011년 06월 20일	납입
제 6 년분	금 액	458,000 원	2012년 07월 27일	납입
제 7 년분	금 액	822,000 원	2013년 07월 24일	납입
제 8 년분	금 액	822,000 원	2014년 07월 24일	납입
제 9 년분	금 액	822,000 원	2015년 07월 24일	납입
제 10 년분	금 액	1,285,000 원	2016년 07월 22일	납입
제 11 년분	금 액	1,285,000 원	2017년 07월 24일	납입
제 12 년분	금 액	1,285,000 원	2018년 07월 24일	납입
제 13 년분	금 액	1,405,000 원	2019년 07월 24일	납입
제 14 년분	금 액	1,405,000 원	2020년 07월 24일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.10.12	수리 (Accepted)	1-1-2006-0737732-98
2	선행기술조사의뢰서	2007.05.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.06.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0035808-81
4	등록결정서	2007.06.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0343740-59
5	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
6	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015045405
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	디스플레이 소자 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은 금속 전극을 다층 금속층 구조로 형성하여 금속 전극의 저항을 줄일 수 있으며, 또한 도전성 파티클 주변의 금속층 상에 산화막을 형성하여 금속 전극에서의 도전성 파티클에 의한 누설 전류 발생을 억제할 수 있는 디스플레이 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 디스플레이 소자 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 제 1 전극 상에 유기물층을 형성하는 단계; 유기물층 상에 하부 금속층을 형성하는 단계; 하부 금속층 일부에 산화막을 형성하는 산화 공정 실시 단계; 및 하부 금속층 상에 상부 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 하부 금속층은 적어도 2개의 단위 금속층으로 이루어지며, 산화 공정 단계는 각 단위 금속층 형성 공정 후에 각각 진행된다. 또한, 본 발명에 따른 디스플레이 소자는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판에 형성된 제 1 전극 및 제 1 전극 상에 형성된 유기물층; 및 유기물층에 형성된 하부 금속층 및 하부 금속층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 하부 금속층 일부에는 산화막이 형성되어 있다. 유기 전계 발광 소자, 금속 전극
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
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