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절연막, 이를 구비하는 박막트랜지스터 및 이들의 제조방법

기술번호 : KST2015045440
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 절연막, 이를 구비하는 박막트랜지스터 및 이들의 제조 방법을 개시되어 있다. 절연막은 비정질 매트릭스 및 비정질 매트릭스에 분산된 나노 결정을 포함하여, 절연막에서 발생하는 누설 전류를 낮출 수 있다. 또한, 나노 결정을 고 유전율(High-K)의 물질로 형성하여, 고 유전율을 가지는 절연막을 형성할 수 있다. 따라서, 절연막은 박막트랜지스터에 적용하여, 박막트랜지스터의 전기적 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.나노결정, 비정질 매트릭스, 절연막, 박막트랜지스터, 표시장치
Int. CL	B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC	H01L 21/02109(2013.01) H01L 21/02109(2013.01) H01L 21/02109(2013.01) H01L 21/02109(2013.01) H01L 21/02109(2013.01)
출원번호/일자	1020060101657 (2006.10.19)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1375023-0000 (2014.03.10)
공개번호/일자	10-2008-0035245 (2008.04.23) 문서열기
공고번호/일자	(20140317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.10.06)
심사청구항수	23

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박미경	대한민국	경기 안양시 동안구
2	백홍구	대한민국	서울특별시 강남구
3	조성진	대한민국	서울특별시 강남구
4	황병하	대한민국	경기도 고양시 덕양구
5	김창수	대한민국	서울특별시 서대문구
6	이성원	대한민국	충청남도 당진군

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.10.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0753692-24
2	공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서 Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)	2006.10.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0753799-11
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.10.06	수리 (Accepted)	1-1-2011-0779221-15
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
8	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.05.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.06.21	수리 (Accepted)	9-1-2012-0047874-72
10	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2012.09.07	수리 (Accepted)	1-1-2012-0722816-81
11	보정요구서 Request for Amendment	2012.12.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0767656-17
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.02.05	수리 (Accepted)	1-1-2013-0107708-89
13	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0441393-82
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2013-0757741-09
15	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.08.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0757742-44
16	등록결정서 Decision to grant	2013.12.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0908523-07

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 비정질 매트릭스; 및 상기 비정질 매트릭스에 분산된 나노 결정을 포함하고,상기 비정질 매트릭스는 나노 결정보다 단결합 강도가 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연막
2	2 제 1 항에 있어서,상기 비정질 매트릭스는 산화 실리콘(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 절연막
3	3 제 1 항에 있어서,상기 나노 결정은 산화 하프듐(HfO2), 산화세륨(CeO2) 및 산화 지르코늄(ZrO2)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 절연막
4	4 제 1 항에 있어서,상기 절연막의 전체 중량을 기준으로 상기 나노결정의 함량은 10중량% 내지 65중량%을 가지는 것을 특징으로 하는 절연막
5	5 제 1 물질 및 제 2 물질을 혼합하여 예비 소스를 형성하는 단계;상기 예비 소스를 열처리하여 소스를 형성하는 단계; 및기판상에 상기 소스를 증착하여, 비정질 매트릭스 및 나노결정을 포함하는 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 절연막의 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 소스를 피 기판상에 증착하는 단계는 전자빔 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 절연막의 제조 방법
7	7 제 5 항에 있어서,상기 제 1 물질의 단 결합 강도는 제 2 물질에 비해 큰 것을 특징으로 하는 절연막의 제조 방법
8	8 제 5 항에 있어서,상기 제 2 물질의 유전율은 제 1 물질에 비해 큰 것을 특징으로 하는 절연막의 제조 방법
9	9 제 5 항에 있어서,상기 제 1 물질은 산화 실리콘(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연막의 제조 방법
10	10 제 5 항에 있어서,상기 제 2 물질은 산화 하프듐(HfO2), 산화 지르코늄(ZrO2) 및 산화세륨(CeO2)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연막의 제조 방법
11	11 제 5 항에 있어서,상기 절연막의 전체 중량을 기준으로 상기 나노결정의 함량은 10중량% 내지 65중량%인 것을 특징으로 하는 절연막의 제조 방법
12	12 기판상에 배치된 게이트 전극;상기 기판상에 상기 게이트 전극을 덮도록 배치되고 비정질 매트릭스 및 상기 비정질 매트릭스에 분산된 나노 결정을 포함하는 게이트 절연막;상기 게이트 전극과 대응된 상기 게이트 절연막 상에 배치된 반도체층 패턴;상기 반도체층 패턴상에 배치된 소스전극; 및상기 반도체층 패턴상에 배치되고 상기 소스전극과 이격된 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터
13	13 제 12 항에 있어서,상기 비정질 매트릭스는 산화 실리콘(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
14	14 제 12 항에 있어서,상기 나노 결정은 산화 하프듐(HfO2), 산화 지르코늄(ZrO2) 및 산화세륨(CeO2)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
15	15 제 12 항에 있어서,상기 게이트 절연막의 전체 중량을 기준으로 상기 나노결정의 함량은 10중량% 내지 65중량%인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
16	16 제 12 항에 있어서,상기 게이트 절연막상에 배치되어 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
17	17 제 16 항에 있어서,상기 보호막은 비정질 매트릭스 및 상기 비정질 매트릭스에 분산된 나노 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
18	18 제 16 항에 있어서,상기 보호막은 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진 비정질 매트릭스 및 상기 비정질 매트릭스에 분산되며, 산화세륨(CeO2)으로 이루어진 나노 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
19	19 제 12 항에 있어서,상기 반도체층 패턴은 유기계 반도체물질로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
20	20 제 12 항에 있어서,상기 반도체층 패턴은 무기계 반도체물질로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
21	21 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판상에 배치되어 상기 게이트 전극을 덮으며, 비정질 매트릭스 및 상기 비정질 매트릭스에 분산된 나노 결정을 포함하는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극과 대응된 상기 게이트 절연막 상에 반도체층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 패턴상에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
22	22 제 21 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 전자빔 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
23	23 제 21 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮으며 상기 게이트 절연막에 배치되는 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법

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특허 등록번호	10-1375023-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20061019 출원 번호 : 1020060101657 공고 연월일 : 20140317 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131231 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 21/31 발명의 명칭 : 절연막, 이를 구비하는 박막트랜지스터 및 이들의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	942,000 원	2014년 03월 10일	납입
제 4 년분	금 액	546,000 원	2017년 02월 15일	납입
제 5 년분	금 액	546,000 원	2018년 02월 13일	납입
제 6 년분	금 액	546,000 원	2019년 02월 15일	납입
제 7 년분	금 액	974,000 원	2020년 02월 19일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.10.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0753692-24
2	공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서	2006.10.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0753799-11
3	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
4	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2011.10.06	수리 (Accepted)	1-1-2011-0779221-15
7	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
8	선행기술조사의뢰서	2012.05.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서	2012.06.21	수리 (Accepted)	9-1-2012-0047874-72
10	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2012.09.07	수리 (Accepted)	1-1-2012-0722816-81
11	보정요구서	2012.12.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0767656-17
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.02.05	수리 (Accepted)	1-1-2013-0107708-89
13	의견제출통지서	2013.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0441393-82
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2013-0757741-09
15	[명세서등 보정]보정서	2013.08.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0757742-44
16	등록결정서	2013.12.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0908523-07


기술번호	KST2015045440
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	절연막, 이를 구비하는 박막트랜지스터 및 이들의 제조방법
기술개요	본 발명은 절연막, 이를 구비하는 박막트랜지스터 및 이들의 제조 방법을 개시되어 있다. 절연막은 비정질 매트릭스 및 비정질 매트릭스에 분산된 나노 결정을 포함하여, 절연막에서 발생하는 누설 전류를 낮출 수 있다. 또한, 나노 결정을 고 유전율(High-K)의 물질로 형성하여, 고 유전율을 가지는 절연막을 형성할 수 있다. 따라서, 절연막은 박막트랜지스터에 적용하여, 박막트랜지스터의 전기적 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.나노결정, 비정질 매트릭스, 절연막, 박막트랜지스터, 표시장치
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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