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리드 프레임 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015045469
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리드 프레임 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 리드 프레임은 반도체 칩이 실장되는 칩 패드;상기 반도체 칩을 외부회로에 연결해 주는 다수개의 이너 리드 및 아우터 리드;상기 이너 리드와 아우터 리드 사이의 경계부에 형성되는 댐바; 및상기 이너 리드 상부에 형성되어 이너 리드를 고정시키는 리드락을 포함하며, 상기 칩 패드, 이너 리드, 아우터 리드 및 댐바는 기저층 상에 바탕 금속 피막으로서 0.2~2㎛ 두께의 Ni 도금층, 0.05㎛ 이하 두께의 Pd+Co 합금도금층 및 0.001~0.1㎛ 두께의 Au 도금층이 순차적으로 적층되어 있으며, 상기 Pd+Co 합금도금층의 Pd와 Co의 비율은 75:25~99:1인 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 상기 Pd+Co 합금도금층의 표면이 치밀하며 결함이 적고 반도체 조립공정시 발생하는 열이력에 따른 부식에 대하여 저항성이 우수하여, 리드 프레임의 신뢰성 즉, 와이어 본딩성 및 납땜성이 뛰어나며, 상기와 같은 내부식성 및 신뢰성에 여하한 영향을 미치지 않으면서도 상기 Pd+Co 합금도금층의 두께를 종래의 약 1/2 이하로 할 수 있기 때문에 제조원가를 절감하고 가격 경쟁력을 확보할 수 있으므로 양산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 23/495 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060109621 (2006.11.07)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1128974-0000 (2012.03.14)
공개번호/일자 10-2008-0041484 (2008.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110137230;
심사청구여부/일자 Y (2010.01.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이윤수 대한민국 경상북도 구미시
2 유창우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0815098-56
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0760090-27
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0760476-47
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0025732-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0022378-73
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0195276-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0440266-08
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0440267-43
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0710992-84
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0049336-74
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1007518-42
14 등록결정서
Decision to grant
2012.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0090423-96
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
(a) 기저층 상에 Ni 도금층을 형성하는 단계;(b) 상기 Ni 도금층 상에, 온도 30~40℃, pH 7
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 Ni 도금층의 형성단계는 온도 45~55℃, pH 2
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 Au 도금층의 형성단계는 온도 50~60℃, pH 5
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 Ni 도금층의 두께는 0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020120003417 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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