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유기발광다이오드 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015045486
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요약 본 발명은 유기발광다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 유기발광다이오드는 제 1 전극, 제 1 전극상에 배치되며 광을 발생하는 양자점(quantum dot)들을 포함하는 유기발광 패턴 및 유기발광 패턴상에 배치된 제 2 전극을 포함함으로써, 유기발광다이오드의 색 재현율을 향상시킨다.양자점, 리간드, 롤 프린팅(Roll Printing)법, 마이크로 콘텍트 프린팅(Micro Contact Printing)법, 잉크젯 프린팅(Ink-Jet Printing)법
Int. CL H05B 33/14 (2006.01)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020060109790 (2006.11.08)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1361861-0000 (2014.02.05)
공개번호/일자 10-2008-0041780 (2008.05.14) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성희 대한민국 서울특별시 동작구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0816189-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0848058-65
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0059006-05
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0698579-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0782648-48
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0163498-87
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163497-31
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0438787-96
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0728011-18
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0728010-73
16 등록결정서
Decision to grant
2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0795881-19
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번호 청구항
1 1
각 화소별로 패터닝되어 기판상에 배치되며 광이 발생하는 발광영역 및 상기 발광영역의 주변에 배치되는 비발광 영역으로 구분되는 제 1 전극;상기 제 1 전극의 비 발광 영역에 배치되며 이웃하는 상기 제 1 전극들의 에지부를 덮고 단면이 사다리꼴 형상인 절연 패턴;상기 절연 패턴의 윗면 영역내에 배치되어 상기 발광 영역을 노출하는 개구를 형성하고 단면이 직사각형 형상인 격벽;상기 제 1 전극상에 배치되며 표면에 친수성 유기 리간드가 형성된 광 발생 양자점(quantum dot)들을 포함하는 유기발광 패턴; 및상기 유기발광 패턴 및 격벽을 덮으며 기판 전면에 일체로 형성된 제 2 전극을 포함하며 상기 유기발광 패턴은 양측 가장자리 영역이 상기 격벽 및 상기 절연패턴과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 양자점은 광을 발생하는 코아 및 상기 코아의 표면에 형성되어 상기 코아를 보호하는 쉘을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
3 3
제 2 항에 있어서,상기 코아는 셀렌화 카드뮴(CdSe) 또는 인화 인듐(InP) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
4 4
제 2 항에 있어서,상기 쉘은 황화 아연(ZnS) 또는 질화 갈륨(GaN) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
기판상에 도전막을 형성한 뒤 각 화소단위로 패터닝하여 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극을 덮는 절연막을 상기 기판 상에 형성하는 단계;상기 절연막을 식각하여 이웃하는 상기 제 1 전극들의 에지부를 덮으며 발광영역을 노출하는 개구를 형성하고 단면이 사다리꼴 형상인 절연 패턴을 형성하는 단계;상기 기판상에 상기 절연 패턴을 덮는 예비 격벽을 형성하는 단계; 상기 예비 격벽을 식각하여 상기 절연 패턴의 윗면 영역내에 배치되어 상기 발광 영역을 노출하는 개구를 형성하고 단면이 직사각형 형상인 격벽을 형성하는 단계;광을 발생하는 양자점을 친수성 유기용매로 표면처리하여 상기 양자점의 표면에 친수성 유기 리간드를 형성하는 단계;상기 제 1 전극상에 상기 광을 발생하는 양자점을 포함하는 유기발광 패턴을 형성하는 단계; 및상기 유기발광 패턴 및 격벽을 덮으며 기판 전면에 일체로 형성된 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며 상기 유기발광 패턴은 양측 가장자리 영역이 상기 격벽 및 상기 절연패턴과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서,상기 유기용매는 에틸렌 글리콜 n-부틸 에테르 아세테이트(Ethylene glycol n-butyl ether acetate), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(Propylene glycol methyl ether acetate), 프로필렌 카보네이트 N-메틸 피로디온(Propylene carbonate N-methyl pyrrolidone), 2-아미노-2-메틸-1-1-프로판올( 2-amino-2-methyl-1-1-propanol), 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르(Dipropylene glycol methyl ether), 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(Propylene glycol methyl ether), 4-하이드록시-4-메틸-2-페타논(4-hydroxy-4methyl-2-pentanone) 및 2-아미노에탄티올(2-aminoethanethiol)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 8 항에 있어서,상기 유기발광 패턴은 잉크젯 프린팅(Ink-Jet Printing)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.