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고효율 태양전지 및 그것의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015045540
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요약 본 발명은 고효율의 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 제 1 도전형 반도체 기판 상에 그에 반대 도전형의 제 2 도전형 반도체 층이 형성되어 있고 그 계면에 p-n 접합을 포함하고 있으며, 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 적어도 일부에 접촉되어 있는 후면 전극과 상기 제 2 도전형 반도체 층의 적어도 일부에 접촉되어 있는 전면 전극을 포함하고 있고, 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면 및/또는 제 2 도전형 반도체 층의 전면에 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 부동층과 실리콘 나이트라이드의 반사방지층이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 포함하고 있는 태양전지 및 그것의 제조방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 부동층 및 반사방지층의 이중 반사막 구조로 흡수된 빛의 반사율을 최소화하면서, 상기 부동층에 의해 반도체 표면에서의 캐리어(carrier)들의 재결합을 효과적으로 방지하여 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있으며, 상기 이중 반사막 구조를 in-situ로서 연속적으로 형성하여 대량 생산이 가능하여 생산 단가를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060105386 (2006.10.30)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0877817-0000 (2009.01.02)
공개번호/일자 10-2007-0049555 (2007.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050106220   |   2005.11.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0785569-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056667-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0621255-60
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0894003-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0893941-83
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0185979-25
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0365693-04
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0478683-64
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0537902-97
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0537900-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
14 등록결정서
Decision to grant
2008.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0538101-57
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형 반도체 기판 상에 그에 반대 도전형의 제 2 도전형 반도체 층이 형성되어 있고 그 계면에 p-n 접합을 포함하고 있으며, 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 적어도 일부에 접촉되어 있는 후면 전극과 상기 제 2 도전형 반도체 층의 적어도 일부에 접촉되어 있는 전면 전극을 포함하고 있고, 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면 및/또는 제 2 도전형 반도체 층의 전면에 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 부동층과 실리콘 나이트라이드의 반사방지층이 순차적으로 형성되어 있으며, 상기 부동층의 두께가 1 내지 40 nm인 구조로 이루어진 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반사방지층은 1
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 부동층과 반사방지층은 제 2 도전형 반도체 층의 전면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체 기판은 p-형 실리콘 기판이고, 제 2 도전형 반도체 층은 n-형 이미터(emitter) 층인 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
(a) 제 1 도전형 반도체 기판 상에 그에 반대 도전형의 제 2 도전형 반도체 층을 형성하여 그 계면에 p-n 접합을 형성하는 과정; (b) 상기 제 2 도전형 반도체 층 상에 실리콘 옥시나이트라이드의 부동층을 형성하는 과정; (c) 상기 부동층 상에 실리콘 나이트라이드의 반사방지층을 형성하는 과정; (d) 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면에 후면 전극을 형성하는 과정; 및 (e) 상기 반사방지층 상에 제 2 도전형 반도체 층에 접속되는 전면 전극을 형성하는 과정;을 포함하는 것으로 구성된 태양전지의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체 기판은 p-형 실리콘 기판이고, 제 2 도전형 반도체 층은 n-형 이미터 층인 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 n-형 이미터 층 상에 PECVD 방식으로 부동층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 부동층 상에 PECVD 방식으로 반사방지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 전면 전극은 Ag를 포함하는 페이스트를 반사방지층 상부에 스크린 프린팅 한 후 소결하여 형성되고, 상기 후면 전극은 Al을 포함하는 페이스트를 제 1 도전형 반도체 기판 상에 스크린 프린팅 한 후 소결하여 형성하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101840962 CN 중국 FAMILY
2 EP01949450 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01949450 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05409007 JP 일본 FAMILY
5 JP21515336 JP 일본 FAMILY
6 US20070175508 US 미국 FAMILY
7 WO2007055484 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101305472 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101305472 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN101840962 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 EP1949450 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1949450 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP1949450 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 JP2009515336 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2009515336 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP2009515336 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 JP5409007 JP 일본 DOCDBFAMILY
11 TW200723553 TW 대만 DOCDBFAMILY
12 TWI368997 TW 대만 DOCDBFAMILY
13 US2007175508 US 미국 DOCDBFAMILY
14 WO2007055484 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.