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하기 화학식 1로 표시되는 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, a와 c는 각각 독립적으로 0 또는 1이고 적어도 하나는 1이며, b와 d는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고, n은 1 내지 10000의 정수이며, A1, A2, C1 및 C2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족 헤테로고리기 및 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기 중에서 선택되고,B와 D는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족 헤테로고리기 및 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기 중에서 선택되며,R1 내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기 및 -SR 중에서 선택되고, 여기서 -SR 중 R은 수소원자, 할로겐, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족 헤테로고리기 및 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기 중에서 선택되며, X와 Y는 말단기로서, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 실란기, 보론기, 스테닐기, 비닐기, 알케닐기 및 알키닐기 중에서 선택된다
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청구항 1에 있어서, B 와 D는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 공액기(conjugated groups)인 것인 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것인 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서, a, b, c, d, n, B, D, R1 내지 R8, X 및 Y는 화학식 1에서 정의한 바와 같고, W는 CRR'', S, Se, O, SiRR'', NH 및 NR 중에서 선택되고, V는 CR, SiR 및 N 중에서 선택되며, 상기 다수의 W 및 V는 서로 같거나 다를 수 있고, 여기서 R과 R''는 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기 중 선택된다
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청구항 1에 있어서, 상기 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-18로 표시되는 화합물 중 어느 하나인 것인 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물:상기 화학식 1-1 내지 1-18에서 R1'' 내지 R8'' 및 R9 내지 R14는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 직쇄형 또는 가지형의 C1-C12의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족 헤테로고리기, 및 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기 중 선택된 어느 하나이다
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청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물을 유기 반도체 물질로서 이용한 유기 전자 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 유기 반도체 물질이 스크린 프린팅(screen-printing), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 마이크로접촉 프린팅(micro-contact printing), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), SAM(Self-assembled Monolayer) 중에서 선택되는 용액 공정을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 다이오드, 유기 태양 전지, 유기 레이저, 전자파 차폐막, 커패시터 및 메모리 소자로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 유기 전자 소자
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청구항 1 내지 4 중 어느 하나의 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물을 유기 반도체 물질로서 이용한 유기 전자 소자를 포함하는 전자 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 π-확장 테트라티아풀발렌 화합물을 유기 반도체 물질로서 이용한 유기 전자 소자는 유기 박막 트랜지스터인 것인 전자 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 전자 장치는 디스플레이 장치, 메모리 소자,스마트 카드(smart card), 센서 및 전자태그(RFID)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자 장치
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